[发明专利]振动分布欠采样条件下的结构低频辐射声功率的估计方法无效
申请号: | 201310196358.1 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN103308157A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 丛超楠;陶建成;邱小军 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | G01H17/00 | 分类号: | G01H17/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 振动 分布 采样 条件下 结构 低频 辐射 功率 估计 方法 | ||
1.一种振动分布欠采样条件下结构低频辐射声功率的估计方法,其特征在于它包括以下步骤:
(1)测量结构的几何尺寸和形状;
(2)在结构表面布放若干振速传感器,获得结构表面有限点处的法向速度;
(3)计算结构辐射模态,计算各阶辐射模态的伴随系数;
(4)基于声辐射模态插值结构表面法向速度;
(5)获得插值后的辐射模态伴随系数;
(6)估计辐射声功率。
2.如权利要求1所述的传感器布放方式,有限个传感器各个方向分别等间隔布放在结构表面,结构表面被分割成N个等面积的面元。
3.如权利要求1所述的辐射模态的伴随系数的计算方法,伴随系数Y可由式Y=QTU获得,式中U为结构表面有限点处的N维法向速度矢量,Q为N×N阶特征向量构成的矩阵,特征向量矩阵Q通过对如下所示的R矩阵进行特征值分解得到,
式中i、j分别表示结构表面的面元编号,ΔS为面元的面积,Re表示取实部,Z表示辐射阻抗,rij表示第i个面元与第j个面元的距离,ρ0为介质密度,c为介质中的声速。
4.如权利要求1所述的基于声辐射模态的插值方法,设定结构表面布放的传感器横向间隔为lx,纵向间隔为ly,在横向方向上等间隔加密b倍(整数b>1),纵向方向上等间隔加密c倍(整数c>1),将结构重新划分为N×b×c份小面元,布放传感器时原编号为Ni(i=1,2...N)的面元被分割成b×c个小面元,按面元的位置分为两类,位于结构边角位置的面元数目为N0个、位于结构中心区域的面元数目为N-N0个,分别对两类面元进行插值,若原编号为Ni的面元位于结构中心区域,则重新分割后的b×c个小面元的速度均插值为Ni面元处传感器测得的速度;对于结构边角处的小面元,则基于加密后的划分重新计算特征向量矩阵Q2,将Q2的前N列向量组成的矩阵与划分加密前计算得到的伴随系数矩阵相乘,计算得法向速度矢量U2,从U2中提取边角相应位置的法向速度,结合中心区域的插值结果得到法向速度矢量U’。
5.如权利要求1所述的辐射声功率预测方法,将划分加密后计算得到的特征向量矩阵Q2,和插值得到的法向速度矢量U’,代入Y=QTU,获得插值后的辐射模态伴随系数Y2,其中Y2的第i列元素yi表示第i阶声辐射模态伴随系数;加密后计算得到的特征值矩阵Λ2, 其中Λ2的第i个对角值γi表示第i个特征值,将yi和λi代入式估计辐射声功率。
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