[发明专利]一种绝缘性基材表面图案化方法和一种陶瓷在审
| 申请号： | 201310196544.5 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN104177130A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 徐强;林信平 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王崇;刘国平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘性 基材 表面 图案 方法 陶瓷 | ||
1.一种绝缘性基材表面图案化方法，该方法包括以下步骤：
（1）用选自ZnO、SnO2和TiO2中的一种或多种物质在绝缘性基材的至少一个表面上形成膜；
（2）用能量束对所述膜的至少部分表面进行照射，以在膜上形成图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述膜由ZnO和/或SnO2形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述膜由第一成膜物质和第二成膜物质形成，所述第一成膜物质为ZnO和/或SnO2，所述第二成膜物质为TiO2，所述膜中，所述第一成膜物质的总量为50-99重量%，所述第二成膜物质的总量为1-50重量%。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其中，所述膜的厚度为1-100μm。
5.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法，其中，所述膜采用磁控溅射形成。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述绝缘性基材为陶瓷基材。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述绝缘性基材为氧化铝陶瓷基材或氧化锆陶瓷基材。
8.根据权利要求1、6和7中任意一项所述的方法，其中，用能量束照射所述膜之前，该方法还包括对形成有所述膜的绝缘性基材进行烧结。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述烧结在950-1500℃进行；所述烧结的时间为1-6小时。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，该方法还包括步骤（3）：将经能量束照射的基材进行化学镀，以在所述图案上形成金属层。
11.根据权利要求1或10所述的方法，其中，所述能量束为波长为532-1064nm且功率为20-100W的激光。
12.一种陶瓷，该陶瓷包括陶瓷基材、以及位于所述陶瓷基材的至少一个表面上的由选自ZnO、SnO2和TiO2中的一种或多种物质形成的膜，所述膜承印有图案。
13.根据权利要求12所述的陶瓷，其中，所述陶瓷还包括位于所述图案上的至少一层金属层。
14.根据权利要求12或13所述的陶瓷，其中，所述陶瓷基材为氧化铝陶瓷基材或氧化锆陶瓷基材。
15.根据权利要求12所述的陶瓷，其中，所述膜由ZnO和/或SnO2形成。
16.根据权利要求12所述的陶瓷，其中，所述膜由第一成膜物质和第二成膜物质形成，所述第一成膜物质为ZnO和/或SnO2，所述第二成膜物质为TiO2，所述膜中，所述第一成膜物质的总量为50-99重量%，所述第二成膜物质的总量为1-50重量%。
17.根据权利要求12、15和16中任意一项所述的陶瓷，其中，所述膜的厚度为1-100μm。
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