[发明专利]一种导电石墨烯薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种导电石墨烯薄膜，其特征在于，包括：

玻璃基板；以及

设置在玻璃基板表面的功能层；

所述功能层包括第一石墨烯层、第二石墨烯层以及介于第一石墨烯层和第二石墨烯层之间的铝掺杂氧化锌层；所述第一石墨烯层和第二石墨烯层的厚度均为40nm～80nm，所述铝掺杂氧化锌层的厚度为20nm～40nm。

2.一种导电石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供清洁的玻璃基板；

（2）在玻璃基板上制备功能层；

（a）将所述清洁的玻璃基板置于气相沉积室中，通入氢气使气相沉积室的压强维持在10Pa～1000Pa，随后将气相沉积室温度升温至600℃～1000℃，再通入碳源气体使气相沉积室的压强维持在10Pa～1000Pa，反应完成后，制得沉积有第一石墨烯层的基板，所述第一石墨烯层的厚度为40nm～80nm；

（b）将沉积有第一石墨烯层的基板放入真空度为1×10^-5Pa～1×10^-3Pa的真空镀室中，加热所述沉积有第一石墨烯层的基板温度达到250℃～750℃，通入气体流量为10sccm～35sccm的氩气，以铝掺杂氧化锌作为靶材，在第一石墨烯层上溅射制备铝掺杂氧化锌层，所述基板和靶材的间距为45mm～95mm，所述溅射速度为0.02nm/s～0.5nm/s，所述铝掺杂氧化锌层厚度为20nm～40nm；

（c）在铝掺杂氧化锌层上采用气相沉积的方法制备第二石墨烯层，第二石墨烯层的制备方法同步骤（2）第一石墨烯层的制备，所述第二石墨烯层的厚度为40nm～80nm；得到所述导电石墨烯薄膜。

3.如权利要求2所述的导电石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳源气体为甲烷、乙烷、丙烷、丁烷和戊烷中的一种或多种。

4.如权利要求2所述的导电石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述基板和靶材的间距为60mm。

5.如权利要求2所述的导电石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述基板温度为500℃。

6.如权利要求2所述的导电石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，通入氩气的气体流量为25sccm。

7.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括：

玻璃基板；以及

设置在玻璃基板表面的功能层；

所述功能层包括第一石墨烯层、第二石墨烯层以及介于第一石墨烯层和第二石墨烯层之间的铝掺杂氧化锌层；所述第一石墨烯层和第二石墨烯层的厚度均为40nm～80nm，所述铝掺杂氧化锌层的厚度为20nm～40nm。

8.如权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-邻菲咯啉，所述电子注入层材质的为氟化锂。

9.如权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材质为银、铝或金。