[发明专利]制造半导体发光装置的方法

说明书

本申请要求于2012年5月25日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0056280号韩国专利申请的优先权，上述申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本申请涉及一种制造半导体发光装置的方法。

背景技术

诸如发光二极管（LED）的半导体发光装置是一种包括发光材料的装置，其中，通过半导体结部分中的电子-空穴复合而产生的能量转化成光以从半导体发光装置发射。LED通常被用作照明装置、显示装置等中的光源，已经加快了对LED的开发。

具体地讲，近来氮化镓（GaN）基LED的开发和使用已经增加，使用这样的氮化镓基LED的移动键盘、车辆转向信号灯、相机闪光灯等已经商业化，与此相一致地，已经加快了对使用LED的普通照明装置的开发。像诸如大型TV的背光单元、车辆的前照灯、普通照明装置等的应用LED的产品，LED的用途正逐渐从小型便携式产品转向具有高输出和高效率的大尺寸产品，相关的产品需要可以支撑其所要求的特性的单元的光源。

由于扩大了LED的用途并且批量生产LED，所以用于制造LED的半导体生长基板的重复利用已经作为一个问题出现。

发明内容

本申请的一个方面提供了一种使半导体生长基板能够重复利用的制造半导体发光装置的方法。

根据本申请的一个方面，提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离的半导体生长基板上的发光结构可以从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。

发光结构可以是氮化物半导体层，氮化物半导体层可以由Al_xIn_yGa_(1-x-y)N表示，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

通过使用从由KOH、NaOH、NH₄OH和H₂SO₃:HCl组成的组选择的蚀刻溶液来执行湿法蚀刻步骤，用于湿法蚀刻工艺的温度范围可以为20℃到300℃。

可以通过激光剥离方法来执行从发光结构分离半导体生长基板的步骤。

半导体生长基板可以是由蓝宝石、SiC、Si、MgAl₂O₄、MgO、LiAlO₂、LiGaO₂或GaN制成的基板。

所述方法还可以包括下述步骤：在湿法蚀刻发光结构和半导体生长基板的界面以分离残留在分离的半导体生长基板上的发光结构之后，化学或机械地精细抛光半导体生长基板。在化学或机械地精细抛光半导体生长基板的操作中可以不执行研磨工艺。

半导体生长基板的清洗可以包括化学清洗操作和物理清洗操作。

在另一个方面，提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上粘合支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。通过化学蚀刻的方式来去除存在于半导体生长基板的表面上的残余量的发光结构。清洗半导体生长基板，从而使半导体生长基板可以被重复利用。

附加的优点和新颖的特征部分地将在下面的描述中进行阐述，部分地基于对下文和附图的查阅对于本领域技术人员将变得清楚，或者可通过对示例的生产或操作而知晓。可以通过实践或使用在下面讨论的详细示例中阐述的方法、设备和组合的各个方面来实现和取得本教导的优点。

附图说明

根据下面结合附图的详细描述，本申请的上述和其它方面、特征及其它优点将被更加清楚地理解，在附图中：

图1至图3是示出根据本申请示例的制造半导体发光装置的方法中的顺序的工艺的剖视图；

图4是示意性地示出根据本申请示例制造的半导体发光装置的剖视图；

图5是示意性地示出残留在从图3中的发光结构分离的半导体生长基板的表面上的发光结构的去除方法的视图；

图6是示出残留在图3中分离的半导体生长基板的表面上的发光结构的去除工艺的流程图；

图7A是通过使残留在分离后的半导体生长基板的表面上的发光结构成像而获得的截面照片；以及