[发明专利]用于在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处加工晶片的方法

权利要求书

1.一种用于加工具有第一主表面和第二主表面的晶片的方法，其中微机电系统结构被布置在第一主表面处，该方法包括：

在第二主表面处施加掩蔽材料；

构造掩蔽材料以在第二主表面处得到多个掩蔽区域和多个未掩蔽区域；

在未掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以形成多个凹进；

至少在其中一些掩蔽区域处去除掩蔽材料以得到预先掩蔽区域；以及

在未掩蔽区域和预先掩蔽区域从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以在预先掩蔽区域处增加凹进的深度并减小晶片的厚度。

2.根据权利要求1的方法，其中在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处各向异性地蚀刻晶片将在预先掩蔽区域处的晶片的厚度减小至最终晶片厚度。

3.根据权利要求2的方法，其中最终晶片厚度小于250μm。

4.根据权利要求1的方法，其中在施加掩蔽材料之前，晶片具有在270μm和400μm之间的厚度。

5.根据权利要求1的方法，其中在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处各向异性地蚀刻晶片增加了凹进的深度并且将晶片的厚度减小了在80μm和140μm之间的值。

6.根据权利要求1的方法，进一步包括在施加掩蔽材料之前在晶片的第二主表面处通过机械工艺减小晶片的给定厚度。

7.根据权利要求6的方法，其中所述机械工艺包括TAIKO工艺。

8.根据权利要求1的方法，其中晶片包括在第一主表面处邻近微机电系统结构的绝缘层，该绝缘层被配置成用作蚀刻停止层，使得当到达蚀刻停止层时，凹进的蚀刻停止。

9.根据权利要求8的方法，进一步包括在于未掩蔽区域和预先掩蔽区域处各向异性地蚀刻晶片之后，通过使用不同的蚀刻工艺去除至少在凹进内的绝缘层。

10.根据权利要求1的方法，进一步包括在于未掩蔽区域和预先掩蔽区域处各向异性地蚀刻晶片之后：

通过去除微机电系统结构内的牺牲材料来释放微机电系统结构的一个或多个部件。

11.根据权利要求10的方法，其中所述晶片包括在第一主表面处邻近微机电系统结构的绝缘层，所述绝缘层被配置成用作蚀刻停止层，使得当到达蚀刻停止层时，凹进的蚀刻停止，并且其中所述方法进一步包括：

使用与用于去除微机电系统结构内的牺牲材料相同的工艺去除至少在凹进内的绝缘层。

12.根据权利要求1的方法，其中在未掩蔽区域和预先掩蔽区域处各向异性地蚀刻晶片产生了晶片的边缘区域，使得晶片的厚度在边缘区域中没有被减少。

13.根据权利要求1的方法，其中在未掩蔽区域处各向异性地蚀刻晶片包括执行时间控制的工艺。

14.根据权利要求1的方法，其中微机电系统结构包括声音换能器。

15.根据权利要求1的方法，其中晶片具有至少200mm的直径。

16.根据权利要求1的方法，其中去除掩蔽材料包括去除所有掩蔽材料，使得所有掩蔽区域被暴露。

17.一种用于加工具有第一主表面，第二主表面，和至少200mm的直径的晶片的方法，其中微机电系统结构被布置在第一主表面处，并且绝缘层将微机电系统结构与晶片的体材料分离，所述方法包括：

在晶片的第二主表面处通过机械工艺将晶片的厚度减小到在270μm和400μm之间的晶片厚度；

在第二主表面处施加掩蔽材料；

构造掩蔽材料以在第二主表面处得到多个掩蔽区域和多个未掩蔽区域；

在未掩蔽区域处从第二主表面各向异性地蚀刻晶片以形成具有在150μm和250μm之间的深度的多个凹进；

至少在其中一些掩蔽区域处去除掩蔽材料以暴露预先掩蔽区域；

从第二主表面各向异性地蚀刻晶片从而增加凹进的深度直到到达绝缘层为止，并且也因此将晶片的体材料的厚度减小到小于250μm的最终厚度；以及

去除通过凹进可到达的部分绝缘层。

18.根据权利要求17的方法，进一步包括通过去除微机电系统结构内的牺牲材料来释放微机电系统结构的一个或多个部件。