[发明专利]聚偏氟乙烯基PTC 高分子发热材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310197490.4 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN103304937A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 李贻连 申请(专利权)人: 安邦电气集团有限公司
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08L51/06;C08K13/02;C08K3/08;C08K3/28;C08K3/16;C08K5/1515;C08K5/5419
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 239300 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 聚偏氟 乙烯基 ptc 高分子 发热 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种聚偏氟乙烯基PTC 高分子发热材料,其特征在于:由下列重量份的原料制成:聚偏氟乙烯80-85、马来酸酐接枝的聚乙烯10-15、铝粉20-25、镍粉5-8、氮化铝12-14、麦饭石粉20-25、氟化钙3-5、氢氧化镁6-8、铝矾土10-12、苯基三乙氧基硅烷3-5、二甲基硅油5-8、环氧亚麻子油2-4、磷酸二氢铵1-2。

2.根据权利要求1所述的高密度聚乙烯基PTC 高分子发热材料,其特征在于:包括以下步骤:将铝矾土加水搅拌制成悬浮液,加热至80-90℃,再加入苯基三乙氧基硅烷、铝粉,高速分散10-20分钟后,冷却至室温,再加麦饭石粉、氟化钙、二甲基硅油,搅拌均匀后,进行研磨2-3小时,到浆料,喷雾干燥,得到粉末;将马来酸酐接枝的聚乙烯、镍粉、氮化铝、苯基三乙氧基硅烷在80-120℃下混炼10-20分钟,得到混合料;将聚偏氟乙烯、所得粉末与混合料及其它剩余原料混合,加热至140-180℃,混合18-25分钟,挤出造粒得到。

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