[发明专利]喷墨头基板的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种喷墨头基板的加工方法。

背景技术

存在利用激光在具有半导体元件等的硅基板中形成供给墨用的通孔的方法。在一些情况下，由激光加工所产生的异物会粘附到半导体元件从而影响排出性能和/或安装步骤。日本特开平5-330046号公报公开了如下方法：在具有半导体元件等的硅基板的表面上预先设置由树脂制成的保护膜，用保护膜捕获由激光加工所产生的异物，并且移除保护膜，由此防止异物粘附到半导体元件。

发明内容

本发明提供了喷墨头基板的加工方法。该方法按顺序包括如下步骤：

（a）在基板上形成阻挡层并且在所述阻挡层上形成晶种层的步骤，

（b）在所述晶种层上形成抗蚀膜并且使所述抗蚀膜图案化以使得所述抗蚀膜具有与被构造成驱动墨排出能量产生元件的配线部对应的开口的步骤，

（c）在被图案化的所述抗蚀膜的所述开口中形成所述配线部的步骤，

（d）移除所述抗蚀膜的步骤，

（e）激光加工所述基板的表面的步骤，

（f）通过各向异性蚀刻所述基板形成墨供给口的步骤，以及

（g）移除所述阻挡层和所述晶种层的步骤。

此外，本发明提供了喷墨头基板的加工方法。该方法按顺序包括如下步骤：

（a）在基板上形成阻挡层并且在所述阻挡层上形成晶种层的步骤，

（b）激光加工所述基板的表面的步骤，

（c）在所述晶种层上形成抗蚀膜并且使所述抗蚀膜图案化以使得所述抗蚀膜具有与被构造成驱动墨排出能量产生元件的配线部对应的开口的步骤，

（d）在被图案化的所述抗蚀膜的所述开口中形成所述配线部的步骤，

（e）移除所述抗蚀膜的步骤，

（f）通过各向异性蚀刻所述基板形成墨供给口的步骤，以及

（g）移除所述阻挡层和所述晶种层的步骤。

从下面参照附图对示例性实施方式的说明，本发明的其它特征将变得明显。

附图说明

图1A至图1E是示出根据本发明的第一实施方式的喷墨头基板的加工方法的截面图。

图2A至2H是示出根据第一实施方式的方法的截面图和俯视图。

图3A至3E是示出根据本发明的第二实施方式的喷墨头基板的加工方法的截面图。

图4A至4H是示出根据第二实施方式的方法的截面图和俯视图。

图5是由根据本发明的方法制造的喷墨头的示例的立体图。

具体实施方式

日本特开平5-330046号公报中公开的方法需要在激光加工之前涂布用于形成保护膜的树脂的步骤以及在激光加工之后移除保护膜的步骤。在该方法中，激光加工所必需的步骤的数量大，并且难以简化激光加工所必需的步骤。鉴于上述情况做出了本发明，并且本发明旨在提供一种喷墨头基板的加工方法，该方法能够省略用于形成保护膜的步骤和移除保护膜的步骤，其中保护膜用于保护基板的表面不受由激光加工所产生的异物的影响。

图5示出了通过根据本发明的方法制造的喷墨头的示例。如图5所示，喷墨头包括由硅制成的基板1和在基板1上以预定节距（pitch）配置成两排的墨排出能量产生元件6。基板1被流路形成构件14和墨排出口形成构件16覆盖。流路形成构件14具有流路12。墨排出口形成构件16由树脂制成并且具有在墨排出能量产生元件6上方开口的墨排出口13。此外，基板1被未示出的用于驱动墨排出能量产生元件6的配线部覆盖。配线部置于流路形成构件14内部并且被连接到墨排出能量产生元件6。墨供给口11在两排墨排出能量产生元件6之间延伸。墨供给口11经由流路12与墨排出口13连通。喷墨头以如下方式进行记录：由墨排出能量产生元件6产生的压力经由墨供给口11被施加到填充在流路12中的墨，由此从墨排出口13排出墨滴并且将墨滴施加到记录介质。此外，基板1被暴露于外部的、用于将喷墨头电连接到主体的焊盘部17所覆盖。

第一实施方式

根据本发明的第一实施方式的喷墨头基板的加工方法按顺序包括如下步骤：

（a）在基板上形成阻挡层并且在阻挡层上形成晶种层的步骤，

（b）在晶种层上形成抗蚀膜并且使抗蚀膜图案化以使得抗蚀膜具有与被构造成驱动墨排出能量产生元件的配线部对应的开口的步骤，

（c）在被图案化的抗蚀膜的开口中形成配线部的步骤，

（d）移除抗蚀膜的步骤，

（e）激光加工基板的表面的步骤，

（f）通过各向异性蚀刻基板形成墨供给口的步骤，以及