[发明专利]双重图案化的方法有效
申请号: | 201310198556.1 | 申请日: | 2013-05-24 |
公开(公告)号: | CN103681255A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 李镇玮;刘弘仁 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;G03F7/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双重 图案 方法 | ||
1.一种双重图案化的方法,其特征在于,包括:
提供一基底,上述基底包括第一区及第二区;
在上述基底上形成目标层;
在上述目标层上形成第一图案化的光致抗蚀剂层,上述第一图案化的光致抗蚀剂层在上述第一区具有多个第一开口且具有第一厚度,而在上述第二区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层至少有第一部分的第二厚度小于在上述第一区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层的上述第一厚度;以及
于上述第一开口之中以及上述第一图案化的光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层。
2.根据权利要求1所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述第二区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层还包括紧邻上述第一区的第二部分,上述第二部分的第三厚度大于上述第一部分的上述第二厚度,且上述第二部分与上述第一部分连续。
3.根据权利要求2所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述第二部分的上述第三厚度等于在上述第一区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层的上述第一厚度。
4.根据权利要求1所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述第一图案化的光致抗蚀剂层的形成方法包括:
于上述基底上形成第一光致抗蚀剂层;
以光罩对上述第一光致抗蚀剂层进行曝光,其中上述光罩对应上述第二区的透光率低于对应上述第一区的上述第一开口的透光率;以及
显影上述第一光致抗蚀剂层,以形成上述第一图案化的光致抗蚀剂层。
5.根据权利要求4所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述光罩包括三调式光罩。
6.根据权利要求5所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述三调式光罩包括:
透明基板,包括第三区及第四区,其中上述第三区对应上述基板的上述第一区,上述第四区对应上述基板的上述第二区;
第一半透光层,位于上述透明基板的上述第三区与上述第四区上;以及
第二半透光层,至少位于上述第三区中的上述第一半透光层上;
其中在上述第三区上的上述第一半透光层以及上述第二半透光层具有多个第二开口,上述第二开口对应上述基底的上述第一区上的上述第一开口,且裸露出上述第三区中的上述透明基板。
7.根据权利要求6所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述透明基板、上述第一半透光层与上述第二半透光层的透光率彼此不同。
8.根据权利要求7所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述透明基板的透光率高于上述第一半透光层的透光率,且上述第一半透光层的透光率高于上述第二半透光层的透光率。
9.根据权利要求8所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述第一半透光层的透光率为20%至60%;上述第二半透光层的透光率为30%至70%。
10.根据权利要求6所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述透明基板的材料包括石英。
11.根据权利要求6所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述第一半透光层及上述第二半透光层包括氮化硅钼层,其具有不同的x及y的组合。
12.根据权利要求1所述的双重图案化的方法,其特征在于,在上述第二区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层的至少上述第一部分的上述第二厚度是在上述第一区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层的上述第一厚度的30%至70%。
13.根据权利要求1所述的双重图案化的方法,其特征在于,在上述第二区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层的上述第一部分的上述第二厚度与上述第二光致抗蚀剂层的厚度的总和是上述第一区上的上述第二光致抗蚀剂层的厚度的85%至95%。
14.根据权利要求1所述的双重图案化的方法,其特征在于,在上述第二区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层的上述第一部分的上述第二厚度与上述第二光致抗蚀剂层的厚度的总和与上述第一区上的上述第二光致抗蚀剂层的厚度差为50埃至150埃。
15.根据权利要求1所述的双重图案化的方法,其特征在于,还包括:
图案化上述第二光致抗蚀剂层,以在上述第一区上的上述第一图案化的光致抗蚀剂层的上述第一开口中形成一第二图案化的光致抗蚀剂层;以及
以上述第一图案化的光致抗蚀剂层以及上述第二图案化的光致抗蚀剂层为罩幕,图案化上述目标层。
16.根据权利要求1所述的双重图案化的方法,其特征在于,上述第一区包括晶胞区;上述第二区包括周边区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造