[发明专利]一种Ho掺杂LaVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光材料和晶体生长领域， Ho掺杂的钒酸镧HozLa_1-zVO₄，以及它们的熔体法晶体生长方法。 

背景技术

Ho掺杂获发光材料是重要的2 μm波段激光晶体，在医疗、国防、信息、科研等领域有广泛的应用前景。但效率低下是这一类激光晶体的主要问题。因而，探索性能优良的新型Ho掺杂激光晶体是目前的重要课题。LaVO₄具有稳定的化学特性和优良的物理性能，Ho_zLa_1-zVO₄有良好的发光性能，因而，Ho_zLa_1-zVO₄ 有望成为性能优良的新型2μm波段激光晶体 

发明内容

本发明的目的是提供稀土钒酸盐Ho_zLa_1-zVO₄发光材料及其熔体法晶体生长方法，获得性能优良的发光材料，有望用于显示和激光技术领域。 

本发明是通过以下技术方案实现的： 

一种Ho掺杂LaVO₄发光材料，其特征在于所述的发光材料的分子式可表示为 Ho_zLa_1-zVO₄，所述的z的取值范围为：0.0001≤z≤0.1。 

一种Ho_zLa_1-zVO₄熔体法晶体生长方法，包括以下步骤： 

（1）采用Ho₂O₃、La₂O₃、V₂O₅作为原料，按如下化合式进行配料，将其充分混合均匀后，压制，得生长晶体所需的多晶原料： 

所述的化合式为：

(2)把上述得到的多晶原料放入生长坩埚内，通过加热并充分熔化，获得晶体生长初始熔体； 

（3）采用熔体法晶体生长法进行生长，获得HozLa1-zVO4单晶。  

一种Ho_zLa_1-zVO₄ 发光材料的熔体法晶体生长方法，不采用籽晶定向生长，或者采用籽晶定向生长；对于采用籽晶定向生长，籽晶为Ho_zLa_1-zVO₄或LaVO₄单晶，籽晶方向为晶体的<100>、<010>或<001>方向，以及其它任意方向。 

一种Ho_zLa_1-zVO₄ 熔体法晶体生长方法，所述配料中，所用原料Ho₂O₃、La₂O₃、 V₂O₅，可采用相应的 Ho、La、V的其它化合物代替，原料合成方法包括高温固相反应、液相合成、气相合成方法，但需满足能通过化学反应能最终形成化合物Ho_zLa_1-zVO₄这一条件。 

一种Ho_zLa_1-zVO₄熔体法晶体生长方法，由于晶体生长过程中的存在组分分凝效应，设所述Ho_zLa_1-zVO₄晶体中某种元素的分凝系数为k，k＝0.01-1，则当所述的2.1－2. 3步骤中 Ho、La、V的化合式中该元素的化合物的质量为W时，则在配料中应调整为W/k。 

一种Ho_zLa_1-zVO₄熔体法晶体生长方法，其特征在于步骤（1）中所述的压制后可以进行烧结，所述烧结温度为950-1100℃，烧结时间为20-80小时，得生长晶体所需的多晶原料。 

本发明的优点是： 

本发明制备的方法简单可控，反应简单，对设备要求不高，用时不多，节约了生产成本 ，该发明的Ho_zLa_1-zVO₄可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。 

具体实施方式

实施例1