[发明专利]在半导体处理期间用于离子和颗粒过滤的双介质过滤器

权利要求书

1.一种系统，包括：

流体源；

半导体晶片制造工具；

流体路径，具有与所述流体源流体连通的第一末端以及与所述半导体晶片制造工具流体连通的第二末端，所述流体路径被配置成从所述流体源向所述半导体晶片制造工具递送流体；以及

双介质过滤器，位于所述流体流动路径中，并且具有壳体，所述壳体具有入口和出口，所述入口与所述流体源流体连通并且被配置成经由所述流体路径从所述流体源接收流体，所述出口与所述半导体晶片制造工具流体连通并且被配置成经由所述流体路径向所述半导体晶片制造工具提供流体，所述双介质过滤器包括位于所述壳体内的离子交换介质和颗粒过滤器介质，所述离子交换介质被配置成从所述流体去除离子，并且所述颗粒过滤器介质被配置成从所述流体去除颗粒。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述离子交换介质位于所述壳体中的邻近所述入口的第一腔中。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述双介质过滤器的所述入口具有倒转漏斗形状。

4.根据权利要求2所述的系统，其中所述颗粒过滤器介质位于所述壳体中的邻近所述出口的第二腔中。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述流体路径的所述第二末端与多个半导体晶片制造工具流体连通，并且其中所述双介质过滤器具有与所述多个半导体晶片制造工具流体连通的出口，所述出口被配置成经由所述流体路径向所述多个半导体制造工具提供流体。

6.根据权利要求1所述的系统，其中所述双介质过滤器的所述壳体是透明的。

7.根据权利要求1所述的系统，其中所述离子交换介质为被配置成从所述流体去除正电荷离子的阳离子交换介质。

8.根据权利要求1所述的系统，其中所述离子交换介质是被配置成从所述流体去除负电荷离子的阴离子交换介质。

9.根据权利要求6所述的系统，其中所述双介质过滤器是第一双介质过滤器并且所述离子交换介质是阳离子交换介质，所述系统还包括与所述第一双介质过滤器流体连通并且位于所述半导体晶片制造工具上游和所述第一双介质过滤器下游的第二双介质过滤器，所述第二双介质过滤器包括阴离子交换介质和颗粒过滤器介质。

10.一种系统，包括：

流体源；

半导体晶片制造工具，被配置成接收流体；

流体路径，具有与所述流体源流体连通的第一末端和与所述半导体晶片制造工具流体连通的第二末端，所述流体路径被配置成从所述流体源向所述半导体晶片制造工具递送流体；

第一双介质过滤器，位于所述半导体晶片制造工具上游和所述流体源下游的所述流体路径中，所述第一双介质过滤器具有被配置成从所述流体源接收流体的入口，所述第一双介质过滤器包括被配置成从接收自所述流体源的所述流体去除离子的第一离子交换介质和被配置成从接收自所述流体源的所述流体去除颗粒的第一颗粒过滤器介质；以及

第二双介质过滤器，位于所述半导体晶片制造工具上游和所述第一双介质过滤器下游的所述流体路径中，所述双介质过滤器具有被配置成从所述第一双介质过滤器接收流体的入口，所述第二双介质过滤器包括被配置成从接收自所述第一双介质过滤器的所述流体去除离子的第二离子交换介质和被配置成从接收自所述第一双介质过滤器的所述流体去除颗粒的第二颗粒过滤器介质。

11.根据权利要求10的系统，其中所述流体源是液体。

12.根据权利要求10的系统，其中所述第一离子交换介质是阳离子交换介质，并且所述第二离子交换介质是离子交换介质。

13.根据权利要求12的系统，其中所述第一离子交换介质是离子交换介质，并且所述第二离子交换介质是阳离子交换介质。

14.一种处理半导体晶片的方法，所述方法包括：

接收来自流体源的流体以用于向半导体晶片工具递送；

在所述流体流向所述半导体晶片工具时过滤所述流体以从所述流体原位去除离子；

在所述流体流向所述半导体晶片工具时过滤所述流体以从所述流体原位去除颗粒；以及

提供所述离子和颗粒被滤除的流体至所述半导体晶片工具以用于以与过滤所述流体相同的速率处理所述半导体晶片。