[发明专利]阻变存储器件以及具有其的存储装置和数据处理系统有效
| 申请号： | 201310198834.3 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103514949B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李根;姜世勋;具滋春;洪权 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 以及 具有 装置 数据处理系统 | ||
1.一种阻变存储器件，包括：
数据储存节点，所述数据储存节点包括与绝缘层交替层叠的可变电阻材料层，其中，所述可变电阻材料层中的一个由包含10wt％至60wt％原子重量的硒或碲的硫族化合物形成；
下电极，所述下电极包围位于所述数据储存节点的一个侧壁处的所述绝缘层和所述可变电阻材料层；以及
上电极，所述上电极包围位于所述数据储存节点的另一个侧壁处的所述绝缘层和所述可变电阻材料层。
2.如权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
与硒或碲组合的锑、锗、硅、锡或铟。
3.如权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
与硒或碲组合的锑、锗、硅、锡或铟中的至少两种。
4.如权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
锡-锑-硒化合物，其中，锡的量为1.0wt％至25.5wt％，锑的量为10wt％至90wt％，硒的量为10wt％至60wt％。
5.如权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
锗-锑-硒化合物，其中，锗的量为1.0wt％至25.5wt％，锑的量为10wt％至90wt％，硒的量为10wt％至60wt％。
6.如权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
锡-锑-碲化合物，其中，锡的量为1.0wt％至25.5wt％，锑的量为10wt％至90wt％，碲的量为10wt％至60wt％。
7.如权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
硅-锑-碲化合物，其中，硅的量为1.0wt％至25.5wt％，锑的量为10wt％至90wt％，碲的量为10wt％至60wt％。
8.如权利要求1所述的阻变存储器件，其中，所述可变电阻材料层由相同的材料或不同的材料形成。
9.一种存储器件，包括：
数据储存节点，所述数据储存节点包括与绝缘层交替层叠的可变电阻材料层，其中，所述可变电阻材料层中的一个由包含10wt％至60wt％原子重量的硒或碲的硫族化合物形成；
下电极，所述下电极与位于所述数据储存节点的一个侧壁处的所述可变电阻材料层电连接；以及
上电极，所述上电极被形成为包围所述数据储存节点的另一个侧壁中的所述绝缘层和所述可变电阻材料层。
10.如权利要求9所述的存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
与硒或碲组合的锑、锗、硅、锡或铟。
11.如权利要求9所述的存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
与硒或碲组合的锑、锗、硅、锡或铟中的至少两种。
12.如权利要求9所述的存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
锡-锑-硒化合物，其中，锡的量为1.0wt％至25.5wt％，锑的量为10wt％至90wt％，硒的量为10wt％至60wt％。
13.如权利要求9所述的存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
锗-锑-硒化合物，其中，锗的量为1.0wt％至25.5wt％，锑的量为10wt％至90wt％，硒的量为10wt％至60wt％。
14.如权利要求9所述的存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
锡-锑-碲化合物，其中，锡的量为1.0wt％至25.5wt％，锑的量为10wt％至90wt％，碲的量为10wt％至60wt％。
15.如权利要求9所述的存储器件，其中，所述硫族化合物还包括：
硅-锑-碲化合物，其中，硅的量为1.0wt％至25.5wt％，锑的量为10wt％至90wt％，碲的量为10wt％至60wt％。
16.如权利要求9所述的存储器件，其中，所述可变电阻材料层由相同的材料或不同的材料形成。
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