[发明专利]用于承载基片的基座及其基片处理的方法有效

专利信息
申请号: 201310198959.6 申请日: 2013-05-24
公开(公告)号: CN104183532B 公开(公告)日: 2017-04-12
发明(设计)人: 马悦;奚明;萨尔瓦多;胡兵 申请(专利权)人: 理想晶延半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/02;H01L33/00
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 代理人: 黄海霞
地址: 201203 上海市张*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 用于 承载 基座 及其 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种用于承载基片的基座,所述基片具有承载面与处理表面,其特征在于,所述基座包括承载部和基片夹具,所述承载部上具有若干用于放置所述基片的承载单元,所述基片夹具具有本体部以及若干与所述承载单元相对设置的空腔,所述本体部为刚性,用以防止所述基片在所述基座的旋转中发生位移或翘曲,所述空腔用以暴露所述基片的处理表面,所述基片夹具具有与所述承载部配合的扣齿部,用以在所述基座的旋转过程中将所述基片夹具固定在所述承载部上。

2.如权利要求1所述的基座,其特征在于,所述承载部具有角度形凹槽,所述扣齿部为所述基片夹具的所述本体部上的角度形突出部,用以与所述角度形凹槽相配合,所述角度形突出部上至少有三个不在同一直线上的点同时与所述角度形凹槽紧密接触,以便在所述基座的旋转过程中将所述基片夹具牢固地固定在所述承载部上。

3.如权利要求2所述的基座,其特征在于,所述角度形凹槽具有侧壁和底壁,所述角度形凹槽的所述侧壁与所述底壁成第一夹角,所述第一夹角大于10度且小于80度;所述角度形突出部与所述角度形凹槽的所述底壁成第二夹角,所述第二夹角小于或等于所述第一夹角。

4.如权利要求1所述的基座,其特征在于,所述承载部具有倒台阶形凹槽,所述扣齿部为所述基片夹具的所述本体部上的正台阶形突出部,用以与所述倒台阶形凹槽相配合,所述正台阶形突出部上至少有三个不在同一直线上的点同时与所述倒台阶形凹槽紧密接触,以便在所述基座的旋转过程中将所述基片夹具牢固地固定在所述承载部上。

5.如权利要求4所述的基座,其特征在于,所述倒台阶形凹槽在所述基座的旋转过程中与所述正台阶形突出部紧密接触,以便在所述基座的旋转过程中将所述基片夹具牢固地固定在所述承载部上。

6.如权利要求1所述的基座,其特征在于,所述空腔具有顶部与底部,所述顶部任意两点之间的最大距离小于所述基片的尺寸,所述底部任意两点之间的最小距离大于所述基片的尺寸。

7.如权利要求6所述的基座,其特征在于,所述基片夹具具有基片锁扣部,用以控制至少部分所述基片边缘的翘曲变形。

8.如权利要求7所述的基座,其特征在于,所述空腔的所述顶部为圆形,具有圆心,所述基片锁扣部为所述本体部沿着所述顶部周围向所述圆心突伸出来的若干突刺。

9.如权利要求8所述的基座,其特征在于,所述基片夹具包括至少一个子夹具,所述子夹具具有至少一种尺寸空腔。

10.如权利要求1所述的基座,其特征在于,所述承载部的材料包括下列材料中的一种或多种:石墨、氮化硅、碳化硅、氮化硼、碳化硼、石英、钼、和钨。

11.如权利要求12所述的基座,其特征在于,所述基座具有加热单元,所述加热单元位于所述承载部下方。

12.如权利要求13所述的基座,其特征在于,所述基片为用以制备III-V族半导体器件外延片的基片。

13.一种利用权利要求1至14中任一项所述的基座对所述基片进行处理的方法,包括:

S1.提供若干放置于所述承载部的承载单元上的若干基片,并在所述承载部上相对所述承载单元设置所述基片夹具,所述基片的处理表面从所述基片夹具的所述空腔中暴露出;

S2.旋转所述基座,以便所述基片夹具的扣齿部与所述承载部紧密配合,用以将所述基片夹具牢固的固定在所述承载部上;

S3.在旋转所述基座的步骤中对所述基片进行化学气相沉积处理。

14.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述化学气相沉积处理为用以制备III-V族半导体器件外延片的金属有机化学气相沉积处理。

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