[发明专利]形成凸块结构的方法

权利要求书

1.一种形成凸块结构的方法，包括：

通过化学镀工艺或浸镀工艺在半导体衬底的顶部金属层上形成第一金属化层，其中，所述第一金属化层未横向延伸越过所述顶部金属层的横向外边缘；

在所述第一金属化层上方形成钝化层；

在所述钝化层中形成开口，以暴露所述第一金属化层，其中暴露的所述第一金属化层包括第一部分和第二部分；

在所述钝化层和所述第一金属化层上形成保护层；

在所述保护层中形成开口，以暴露所述第一金属化层的第一部分而覆盖所述第一金属化层的第二部分；以及

在所述保护层上方形成电连接至所述第一金属化层的焊料凸块。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一金属化层包括镍层、锡层、钛层、钯层和金层中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述顶部金属层是包括铜的焊盘区域。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述第一金属化层和所述焊料凸块之间形成第二金属化层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二金属化层包括钛层、铜层和镍层中的至少一个。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述钝化层包括介电层，并且所述保护层包括聚合物层。

7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述第一金属化层之前，对所述顶部金属层执行抛光工艺。

8.一种形成凸块结构的方法，包括：

在半导体衬底的顶部金属层上形成钝化层；

在所述钝化层中形成开口以暴露所述顶部金属层的一部分；

通过化学镀工艺或浸镀工艺在所述顶部金属层的暴露部分上形成第一金属化层，其中，所述第一金属化层未横向延伸越过所述顶部金属层的横向外边缘；

在所述钝化层和所述第一金属化层上形成保护层；

在所述保护层中形成开口，以暴露所述第一金属化层的第一部分而覆盖所述第一金属化层的第二部分；以及

在所述保护层上方形成电连接至所述第一金属化层的焊料凸块。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一金属化层包括延伸至所述钝化层的顶面的边缘部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述保护层覆盖所述第一金属化层的所述边缘部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一金属化层包括镍层、锡层、钛层、钯层和金层中的至少一个。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述顶部金属层是包括铜的焊盘区域。

13.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：在所述第一金属化层和所述焊料凸块之间形成第二金属化层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二金属化层包括钛层、铜层和镍层中的至少一个。

15.根据权利要求8所述的方法，其中，所述钝化层包括介电层，并且所述保护层包括聚合物层。

16.一种形成凸块结构的方法，包括：

在半导体衬底的顶部金属层上形成钝化层；

在所述钝化层中形成开口以暴露所述顶部金属层，暴露的所述顶部金属层包括第一部分和第二部分；

在所述钝化层和暴露的所述顶部金属层上形成保护层；

在所述保护层中形成开口以暴露所述顶部金属层的第一部分而覆盖暴露的所述顶部金属层的第二部分；

通过化学镀工艺或浸镀工艺在所述顶部金属层的第一部分上形成第一金属化层，其中，所述第一金属化层未横向延伸越过所述顶部金属层的横向外边缘；以及

在所述保护层上方形成电连接至所述第一金属化层的焊料凸块。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一金属化层包括镍层、锡层、钛层、钯层和金层中的至少一个。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述顶部金属层是包括铜的焊盘区域。

19.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：在所述第一金属化层和所述焊料凸块之间形成第二金属化层。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第二金属化层包括钛层、铜层和镍层中的至少一个。