[发明专利]基于光电技术的多模态植入式神经调控电极及制作方法

权利要求书

1.基于光电技术的多模态植入式神经调控电极，包括基底（3），其特征在于：所述基底（3）上设置有16个电刺激触点（1）和9个光刺激触点（2），所述光刺激触点（2）包括发光二极管（4），所述发光二极管（4）包括外部的n电极（5）、中部的发光层（6）和内部的p电极（7）。

2.制作权利要求1所述的基于光电技术的多模态植入式神经调控电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

    步骤1）在硅片真空涂覆Parylene C材料，在Parylene C上利用磁控溅射法沉积Al掩膜，光刻刻蚀图形化，作为刻蚀ParyleneC的掩蔽层；

    步骤2）在上述产品上真空涂覆ParyleneC材料，电子束蒸发沉积金属铂，利用Lift-off工艺图形化，实现16个刺激触点与引线触点的互联，再真空涂覆ParyleneC保护层材料，磁控溅射沉积铝，图形化后作为氧离子体刻蚀ParyleneC的掩蔽层，去除ParyleneC，使铂引线触点裸露出来，释放平面薄膜，并利用干法刻蚀技术去除背面Parylene C，使刺激触点裸露，去除掩蔽层金属Al，最终获得三层的16个所述电刺激触点（1）的柔性薄膜电极阵列；

  步骤3）采用InGaAlP直接跃迁型材料，发光波长为590nm，利用金属有机物化学气相沉积法在砷化镓基底依次外延生长n-InGaAlP，InGaAlP有源区，p-InGaAlP，及GaP窗口区，p电极采用Ti/Pt/Au膜系，由溅射法制备，n电极采用Ni/Ge/Au膜系，由电子束蒸发设备制作，得发光芯片；

  步骤4）通过微加工技术将所述发光芯片粘贴在步骤2）中柔性薄膜电极阵列的特定位置，即得最终产品。