[发明专利]Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种纳米材料的制备方法，尤其涉及一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法及其在制备有机电子器件中的应用。

技术背景

Ag-TCNQ一维纳米晶由于具有良好的电学和磁学性能，被广泛用于有机电子器件，气体传感，开光等领域，近年来备受广大研究者的关注。随着当今纳米科技与技术的不断推广与应用，Ag-TCNQ一维纳米晶的制备及其器件的构筑已成为人们关注的热点。

现有的Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法主要有自发电解技术、气相反应法以及共结晶等方法，但这些方法通常操作复杂，需要特殊的反应设备。

近年来，溶液法由于具有操作简单，反应条件温和等优点备受广大研究者关注。例如，Wang等采用溶液法利用Ag与TCNQ在常温下反应成功制备出了Ag-TCNQ一维纳米线，但其所获产物表面粗糙，尺寸不均一，且富有残留的Ag纳米颗粒，难以去除，从而影响其电学性能，极大的限制了Ag-TCNQ一维纳米晶的应用前景。

因此，寻求一种更为简单有效低成本的方法制备高纯且尺寸均一的Ag-TCNQ一维纳米晶对于更好的发挥其电学性能具有非常重要的意义。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法，从而克服现有技术中的不足。

本发明的目的之二在于提供前述Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法在制备有机电子器件中的应用。

本发明的目的之三在于提供一种有机电子器件。

为实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：

一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法，包括：取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合，并加入水混合均匀，静置24h以上，再分离出固形物，经清洗后获得Ag-TCNQ一维纳米晶。

进一步的，所述TCNQ的有机溶液中所采用的有机溶剂包括乙腈或氯仿。

进一步的，所述AgOTf(三氟磺酸银)的有机溶液中所采用的有机溶剂包括乙醇。

优选的，所述TCNQ的有机溶液的浓度为1mM～30mM。

优选的，所述AgOTf的有机溶液的浓度为1mM～30mM。

进一步的，所述Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法包括：

取TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液混合，形成有机混合溶液，并加入水混合均匀，其中有机混合溶液与水的体积比为1∶10～2∶1，常温静置24h～48h，再分离出固形物，经清洗后获得Ag-TCNQ一维纳米晶。

其中，对固形物清洗的方法包括：以乙腈清洗固形物一次以上。

其中，将TCNQ的有机溶液与AgOTf的有机溶液的混合物和水均匀混合的方法包括剧烈搅拌或者强力超声。

所述Ag-TCNQ一维纳米晶的直径为20～200nm，长度为5～100μm。

前述Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法在制备有机电子器件中的应用。

一种有机电子器件，包含前述的Ag-TCNQ一维纳米晶。

一种有机二极管电子器件，包含前述Ag-TCNQ一维纳米晶，其电流开关比为800～1000倍。

一种单元型有机电子二机管器件的制备工艺，包括：在预先准备的电极的基底上施加所述Ag-TCNQ一维纳米晶。

所述单元型有机电子二机管器件具有开关特性，其电流开关比为800～1000倍。

与现有技术相比，本发明的优点至少在于：工艺简单，易于操作，无需特殊的反应设备，反应条件温和，在常温下进行，适于工业化生产，并且最终产物纯度高，不含杂质，表面光滑，尺寸分布均一，具有很好的电学存储性能。

附图说明

图1是实施例1所获一维Ag-TCNQ纳米线的扫描电子显微镜(SEM)图；

图2是实施例1所获Ag-TCNQ一维纳米线的透射电镜(TEM)图；

图3是实施例1所获Ag-TCNQ一维纳米线的电子衍射花样(SAED)图；

图4是实施例1所获Ag-TCNQ一维纳米线的X射线衍射(XRD)图；

图5是由实施例1所获Ag-TCNQ一维纳米线构筑的二级管器件的电学性能图。

具体实施方式

本发明的主旨在于提供一种Ag-TCNQ一维纳米晶的制备方法，作为其中较为优选的实施方案之一，其可以包括以下步骤：

(1)将TCNQ溶解于有机溶剂中，获得1～30mM的溶液A；

(2)将AgOTf溶解于乙醇中，获得1～30mM溶液B；