[发明专利]自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法

权利要求书

1.自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法，其特征在于：包括：利用计算机控制的磁控溅射设备在硅衬底上溅射形成缓冲层Cr，沉积SmCo5层，沉积铁磁/Cu/铁磁三明治夹层，得到多层膜自旋阀磁电阻传感器材料，用四探针法测量多层膜自旋阀磁电阻传感器材料的磁电阻效应。

2. 按照权利要求1所述的自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法，其特征在于：所述的铁磁层可以是钴、钴铁合金或钴镍合金。

3.按照权利要求2所述的自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法，其特征在于：所述的缓冲层Cr厚度20 nm，SmCo5层厚度20-30 nm，铁磁层厚度为2-3 nm，Cu层厚度3-4 nm。

4.按照权利要求3所述的自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法，其特征在于：所述的磁控溅射设备采用直流磁控溅射，在硅衬底上沉积缓冲层Cr之前将硅衬底温度升至550 °C，在沉积SmCo5层后，随保持温度30 分钟，使硅衬底温度降到50°C以下。

5.按照权利要求4所述的自旋阀磁电阻传感器材料的制备方法，其特征在于：在实际操作时将所述的硅衬底放入无水酒精和丙酮溶液中，用超声波发生器进行清洗2-3次，待硅衬底晾干后放入磁控溅射设备的真空腔，待真空度达到5′10^-6 Pa后，通氩气，氩气压维持在0.3-0.4 Pa，各层的溅射速率01-0.3 nm/s。