[发明专利]薄板坯连铸连轧流程生产低牌号无取向硅钢及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310201110.X 申请日: 2013-05-27
公开(公告)号: CN103266266A 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 仇圣桃;项利;张晨;岳尔斌;秦哲;岳桂安;樊立峰;李军;干勇 申请(专利权)人: 钢铁研究总院;中达连铸技术国家工程研究中心有限责任公司
主分类号: C22C38/06 分类号: C22C38/06;C21D8/12;B21B1/46
代理公司: 北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙) 11248 代理人: 张小娟
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 薄板 坯连铸连轧 流程 生产 牌号 取向 硅钢 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于冶金领域,涉及一种采用薄板坯连铸连轧流程生产的低牌号无取向硅钢及其制备方法。 

背景技术

薄板坯连铸连轧生产工艺流程短,铸坯规格薄,过程热量损失小,可以大量节约能源、降低成本。而且由于轧制线长度短,温降小,可以实现高温终轧和高温卷取,生产出磁性优良的无取向硅钢。 

采用薄板坯连铸连轧生产的无取向硅钢板坯薄,拉速快,柱状晶发达。在50W470牌号无取向硅钢的生产过程中,钢中的Si、Al含量一般是Si+Al>1.5%,在C含量很低的情况下,在加热和热轧过程中基本不发生相变,铸坯中柱状晶尺寸粗大,热轧过程中由于动态回复和再结晶缓慢而不能彻底破碎,热轧板的板厚中心附近为粗大伸长的形变晶粒,其平均宽度约为0.2mm,最大可达0.5mm宽,后续冷轧和退火时它们难以再结晶,在成品表面产生沿轧向凸凹不平的瓦楞状缺陷,这使成品的叠片系数降低,磁性变坏,并且绝缘膜层间电阻降低。因此,如何控制或消除瓦楞状缺陷,是薄板坯连铸连轧流程生产50W470牌号无取向硅钢的技术难点。 

目前现有技术中主要有以下措施改善或消除瓦楞状缺陷: 

1、日本专利特公昭53-114609提出在连铸增设电磁搅拌设备,提高铸坯中等轴晶比例至50%以上,从而消除瓦楞缺陷。不过此种方法 在薄板坯连铸连轧工艺上很难实现。 

2、日本专利特公昭49-39526公开了连铸采用低过热度(<15℃)浇铸也可以提高铸坯中等轴晶比率,从而减弱或消除瓦楞缺陷。但是连铸过程不易控制,结晶器中夹杂物不易上浮,连铸坯内夹杂物增多,影响成品质量。 

3、美国专利US3935038A提出对化学成分进行调整,提高钢中碳含量,保证C≥1/100[(Si+Al)-0.75]%,使连铸板坯加热和热轧时发生α—γ相变,促进热轧组织动态回复和再结晶,消除带钢中部粗大形变晶粒,可以减弱或消除瓦楞状缺陷。但是,其缺点是满足C≥1/100[(Si+Al)-0.75]%条件要求的C含量非常高,成品退火脱碳量增大,脱碳时间延长,影响机组产量。 

4、日本专利特公昭62-54023提出控制精轧,使精轧终轧温度>1000℃,热轧后1~7秒内不喷水冷却,并在<700℃卷取,以防止瓦楞缺陷。但是,该方法要求连铸坯加热温度提高至1250℃以上,易造成连铸坯塌腰,影响辊道输送及在连铸坯内部产生内裂纹。 

5、通过热轧板常化和二次冷轧增加钢板的再结晶率,以消除瓦楞缺陷,但是此方法增加了生产成本。 

6、中国发明专利CN201010230317.6通过如下合理的成分配比:C:0.0031%~0.01%,Si:1.0~1.7%,Al≤0.5%,Mn:0.5~1.5%,P≤0.10%,S≤0.008%,N≤0.005%,Ti≤0.008%,Ca≤0.010%,同时控制精轧,精轧时控制其前二道次每道次的压下率为50~65%,并控制其终轧温度为800~920℃,卷取时控制其卷取温度为690~780℃,并控制均热温度在1100~1150℃,实现了无瓦楞缺陷的薄板坯连铸连轧无取向硅钢的生产。不过,其热轧工序热轧卷需在700℃以上高温进行卷取,造成热轧卷表面氧化铁皮致密,增加了酸洗时的负担;而且生产工艺控制精 度要求高,难度大,大道次压下率轧制造成轧机负载较大,板型控制较难。 

发明内容

为了克服上述现有技术的不足,本发明提供了一种薄板坯连铸连轧流程生产的低牌号无取向硅钢及其制备方法,采用本发明的制备方法所生产的50W470牌号无取向硅钢成品磁性能良好,且不发生瓦楞状缺陷。 

为实现上述发明目的,本发明提供了如下技术方案: 

一种薄板坯连铸连轧生产的低牌号无取向硅钢,其化学成分按质量百分数为:C:0.001%~0.008%,Si:1.10%~1.70%,Al:0.20%~1.0%,Mn:0.20%~1.0%,P:0.02%~0.10%,N≤0.005%,S≤0.005%,其余为铁和不可避免的杂质;并且10%≤γ1100℃≤30%,γ1100℃为钢中奥氏体在1100℃时的体积含量,其中γ1100℃=26.5+655(%C)-14.2(%Si)+4.2(%Mn)-2.68(%Al)+665(%N)-18.4(%P)。 

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