[发明专利]四卤化硅或有机卤硅烷的等离子体辅助的有机官能化

权利要求书

1.等离子体辅助合成有机卤硅烷和/或碳硅烷的方法，其特征在于，在由选自烷烃、烯烃、炔烃和芳香烃的一种或更多种挥发性有机化合物与Si₂X₆和/或有机卤硅烷R_nSiX_4-n组成的混合物中激发等离子体，其中X＝F、Cl、Br或I；n＝1-4；R＝烷基、烯基、炔基、芳基，

由此形成总通式为R_m¹R_o²SiX_4-p的有机卤硅烷，其中X＝F、Cl、Br或I；p＝1-4；p＝m+o；m＝1-4；o＝0-3；R¹、R²＝烷基、烯基、炔基、芳基和/或总通式为R³_qSiX_3-qCH₂SiR⁴_rX_3-r的碳硅烷，其中X＝F、Cl、Br或I；q＝0-3；r＝0-3；R³、R⁴＝烷基、烯基、炔基、芳基。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，通过应用非等温等离子体使所述反应物混合物发生反应。

3.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，在降低的压力下使所述反应物混合物发生反应。

4.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，引导所述反应物混合物通过至少一个等离子体反应区。

5.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，引导所述反应物混合物通过多个互相交替连接的反应区和静止区。

6.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，所述反应物混合物在等离子体反应器内在0.1至100hPa的压力下进行反应。

7.根据权利要求6的方法，其特征在于，所述反应物混合物在等离子体反应器内在1.0至10.0hPa的压力下进行反应。

8.根据权利要求1或2的等离子体辅助合成有机卤硅烷的方法，其特征在于，所述反应物混合物在等离子反应器中在-80℃至+400℃的反应温度下进行反应。

9.根据权利要求8的方法，其特征在于，所述反应物混合物在等离子反应器中在0℃至250℃的反应温度下进行反应。

10.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，为了实施等离子体反应，使交变电磁场耦合。

11.根据权利要求10的方法，其特征在于，为了实施等离子体反应，使交变电磁场在1.0MHz至2.45GHz范围内耦合。

12.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述等离子体反应器之后的收集容器（7）内的反应产物通过在-80℃下的低温冷冻冷凝来获得。

13.根据权利要求1的方法，其特征在于，来自蒸馏容器（10）的有机卤硅烷在蒸馏柱（9）中通过蒸馏而获得，并且收集在收集容器（15）中。

14.根据权利要求12或13的方法，其特征在于，利用SiX₄清洗所述反应器和收集容器。

15.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，单独使用甲烷或者除甲烷之外还使用选自烷烃、烯烃、炔烃和/或芳香烃的其它挥发性化合物。

16.根据权利要求15的方法，其特征在于，除了甲烷之外还使乙烷、乙烯和/或乙炔反应。

17.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，不得到烷基化卤硅烷或除了烷基化卤硅烷之外，以如下方式得到芳基化卤硅烷：不使用烷烃而使用芳香烃或除了烷烃之外还使用芳香烃。

18.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，不得到烷基化卤硅烷或除了烷基化卤硅烷之外，以如下方式得到烯基化卤硅烷：不使用烷烃而使用烯烃或除了烷烃之外还使用烯烃。

19.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，不得到烷基化卤硅烷或除了烷基化卤硅烷之外，以如下方式得到炔基化卤硅烷：不使用烷烃而使用炔烃或除了烷烃之外还使用炔烃。

20.根据权利要求1或2的方法，其特征在于，制备具有不同的有机取代基的有机卤硅烷。