[发明专利]一种具有结型场板的功率LDMOS器件

权利要求书

1.一种具有结型场板的功率LDMOS器件，包括纵向自下而上的第一导电类型半导体衬底（1）和第二导电类型半导体有源层（7）；所述第一导电类型半导体衬底（1）中具有第二导电类型半导体埋层（2）；所述第二导电类型半导体有源层（7）表面一侧具有第一导电类型半导体体区（4），第一导电类型半导体体区（4）表面具有相邻的第一导电类型半导体源区（5）和第一导电类型半导体体接触区（6），第一导电类型半导体源区（5）和第一导电类型半导体体接触区（6）的共同引出端为源电极（S）；所述第二导电类型半导体有源层（7）表面另一侧具有第二导电类型半导体漏区（8），第二导电类型半导体漏区（8）的引出端为漏电极（D）；第二导电类型半导体漏区（8）与第一导电类型半导体体区（4）之间的有源层（7）形成器件的漂移区；所述第一导电类型半导体体区（4）表面，包括与之相连的部分第一导电类型半导体源区（5）和部分漂移区表面具有栅介质层（10a），栅介质层表面为栅导电材料（10b），栅导电材料的引出端为栅电极（G）；栅电极（G）与源电极（S）之间具有隔离介质（9）；

所述漂移区表面还具有结型场板结构，所述结型场板结构由场介质（14）和半导体结型场板构成，其中场介质（14）位于漂移区表面，半导体结型场板位于场介质（14）表面；所述半导体结型场板包括与源电极（S）相接触的第一导电类型半导体欧姆接触区（11），与漏电极（D）相接触的第二导电类型半导体欧姆接触区（13），以及位于第一导电类型半导体欧姆接触区（11）和第二导电类型半导体欧姆接触区（13）之间的第二导电类型半导体高阻区（12）。

2.根据权利要求1所述的具有结型场板的功率LDMOS器件，其特征在于，所述半导体结型场板的第一导电类型掺杂半导体高阻区（12）与第二导电类型半导体欧姆接触区（13）之间还具有第二导电类型掺杂半导体缓冲区（12c）；所述第二导电类型掺杂半导体缓冲区（12c）的掺杂浓度低于第二导电类型半导体欧姆接触区（13）的掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的具有结型场板的功率LDMOS器件，其特征在于，所述半导体结型场板的第一导电类型掺杂半导体高阻区（12）中还具有平行于器件横向方向的第二导电类型掺杂半导体区（12b），使得所述半导体结型场板的高阻区（12）由第一导电类型掺杂半导体区（12a）和第二导电类型掺杂半导体区（12b）在垂直于从源区到漏区的方向上交替排列形成超结结构；相应地，位于结型场板结构下方的漂移区中还具有平行于器件横向方向的第一导电类型掺杂半导体区（7b），使得器件漂移区由第二导电类型掺杂半导体区（7a）和第一导电类型掺杂半导体区（7b）在垂直于从源区到漏区的方向上交替排列形成超结结构；漂移区中的第一导电类型掺杂半导体区（7b）位于高阻区（12）中的第二导电类型掺杂半导体区（12b）的正下方，二者形状和宽度相同且导电类型相反；漂移区中的第二导电类型掺杂半导体区（7a）位于高阻区（12）中的第一导电类型掺杂半导体区（12a）的正下方，二者形状和宽度相同且导电类型相反。

4.根据权利要求2所述的具有结型场板的功率LDMOS器件，其特征在于，所述半导体结型场板的第一导电类型掺杂半导体高阻区（12）中还具有平行于器件横向方向的第二导电类型掺杂半导体区（12b），使得所述半导体结型场板的高阻区（12）由第一导电类型掺杂半导体区（12a）和第二导电类型掺杂半导体区（12b）在垂直于从源区到漏区的方向上交替排列形成超结结构；相应地，位于结型场板结构下方的漂移区中还具有平行于器件横向方向的第一导电类型掺杂半导体区（7b），使得器件漂移区由第二导电类型掺杂半导体区（7a）和第一导电类型掺杂半导体区（7b）在垂直于从源区到漏区的方向上交替排列形成超结结构；漂移区中的第一导电类型掺杂半导体区（7b）位于高阻区（12）中的第二导电类型掺杂半导体区（12b）的正下方，二者形状和宽度相同且导电类型相反；漂移区中的第二导电类型掺杂半导体区（7a）位于高阻区（12）中的第一导电类型掺杂半导体区（12a）的正下方，二者形状和宽度相同且导电类型相反；且所述第二导电类型掺杂半导体缓冲区（12c）沿器件横向方向的尺寸应小于超结结构高阻区（12）沿器件横向方向的尺寸。

5.根据权利要求3或4所述的具有结型场板的功率LDMOS器件，其特征在于，器件漂移区的超结结构的纵向结深小于或等于有源层7的结深。