[发明专利]一种氮化镓图形衬底的制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓图形衬底的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、采用气相外延生长技术，在气相外延生长反应室里将衬底进行热处理，降温；

步骤二、在衬底上生长一层非晶氮化镓缓冲层；

步骤三、退火，使衬底表面形成多晶氮化镓缓冲层；

步骤四、在结晶的氮化物成核层上生长非故意掺杂氮化镓层；

步骤五、在非故意掺杂氮化镓层生长N型氮化镓层；

步骤六、在N型氮化镓层上进行图形刻蚀；

其中，所述衬底材料为蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌中的一种。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓图形衬底的制备方法，其特征在于：所述步骤六中的图形刻蚀需先将图形转移至N型氮化镓层后，通过光刻工艺或纳米压印方法进行图形刻蚀。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓图形衬底的制备方法，其特征在于：所述图形刻蚀的图形为圆形、圆柱、三角锥、子弹头中的一种，所述图形尺寸为130nm-4um。