[发明专利]一种阵列基板、制备方法以及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括基板以及形成在所述基板上的薄膜晶体管和存储电容，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及设置于所述源极、所述漏极与所述栅极之间的栅绝缘层，所述存储电容包括第一极板、第二极板以及所述第一极板与所述第二极板之间的电介质层，其特征在于，所述栅绝缘层紧邻所述源极、所述漏极部分的栅绝缘层的介电常数小于等于所述电介质层的介电常数。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层包括第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述第一栅绝缘层的介电常数小于所述第二栅绝缘层的介电常数，所述第一栅绝缘层紧邻所述源极、所述漏极，所述第一极板与所述第二极板分设在所述第二栅绝缘层的上下两侧，所述电介质层为所述第二栅绝缘层对应着所述第一极板与所述第二极板的部分。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极、所述漏极与所述第一极板同层设置，所述第一栅绝缘层完全覆盖所述源极与所述漏极、且未覆盖所述第一极板；所述第二栅绝缘层完全覆盖所述第一栅绝缘层与所述第一极板；所述栅极设置于所述第二栅绝缘层对应着所述源极和所述漏极之间的区域的上方、且同时与所述源极与所述漏极在正投影方向上部分重叠，所述第二极板设置于所述第二栅绝缘层上方、且与所述第一极板在正投影方向上至少部分重叠；

或者，所述源极、所述漏极与所述第一极板同层设置，所述第一栅绝缘层完全覆盖所述源极与所述漏极、且未覆盖所述第一极板；所述第二栅绝缘层完全覆盖所述第一极板、且未覆盖所述源极与所述漏极对应着的区域；所述栅极设置于所述第一栅绝缘层对应着所述源极和所述漏极之间的区域的上方、且同时与所述源极与所述漏极在正投影方向上部分重叠，所述第二极板设置于所述第二栅绝缘层上方、且与所述第一极板在正投影方向上至少部分重叠。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述第二极板同层设置，所述第一栅绝缘层完全覆盖所述栅极、且未覆盖所述第二极板；所述第二栅绝缘层完全覆盖所述第一栅绝缘层以及所述第二极板；所述源极与所述漏极设置于所述第二栅绝缘层对应着所述栅极的两端的上方、且分别与所述栅极在正投影方向上部分重叠，所述第一极板设置于所述第二栅绝缘层对应着所述第二极板的上方；

或者，所述栅极与所述第二极板同层设置，所述第一栅绝缘层完全覆盖所述栅极、且未覆盖所述第二极板；所述第二栅绝缘层完全覆盖所述第二极板、且未覆盖所述栅极对应着的区域；所述源极与所述漏极设置于所述第一栅绝缘层对应着所述栅极的两端的上方、且分别与所述栅极在正投影方向上部分重叠，所述第一极板设置于所述第二栅绝缘层对应着所述第二极板的上方。

5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅绝缘层采用氧化硅材料形成，所述第一栅绝缘层为单层结构；所述第二栅绝缘层采用氧化硅材料、氮化硅材料中的至少一种形成，所述第二栅绝缘层为单层结构或多个子层的叠层结构。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅绝缘层的厚度范围为所述第二栅绝缘层的厚度范围为

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述源极、所述漏极与所述第一极板采用低温多晶硅材料形成，所述源极、所述漏极与所述第一极板的厚度范围为所述栅极与所述第二极板采用钼、钼铌合金、铝、铝钕合金、钛和铜中的至少一种材料形成，所述栅极与所述第二极板的厚度范围为

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括缓冲层，所述缓冲层为单层结构或多个子层的叠层结构，所述缓冲层采用氧化硅材料、氮化硅材料中的至少一种形成，所述缓冲层设置在所述基板与所述源极、所述漏极、所述第一极板之间；或者，所述缓冲层设置在所述基板与所述栅极、所述第二极板之间。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括层间绝缘层和引出电极，所述引出电极包括第一电极和第二电极，所述层间绝缘层设置在所述薄膜晶体管与所述存储电容的上方，所述层间绝缘层对应着所述源极和所述漏极的区域分别开设有第一过孔和第二过孔，所述源极通过所述第一过孔与所述第一电极电连接，所述漏极通过第二过孔与所述第二电极电连接。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。