[发明专利]无镀层钯网合金线及其制造方法有效
| 申请号： | 201310203920.9 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN104183503B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吕传盛;洪飞义 | 申请（专利权）人： | 吕传盛;洪飞义;骏码科技（香港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀层 合金 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无镀层钯网合金线的制造方法，其是于一银基线表面镀上5nm-120nm的钯层后，加热至600-800℃的温度，持续该温度不超过4小时，使钯元素完全热扩散至银基线晶界网格表面，由此形成含钯的晶界带。
2.如权利要求1所述的无镀层钯网合金线的制造方法，其中，所述银基线的成分包含有1-5wt.%的金元素。
3.如权利要求2所述的无镀层钯网合金线的制造方法，其中，所述银基线的成分包含有3wt.%的金元素。
4.如权利要求1所述的无镀层钯网合金线的制造方法，其中，使钯元素完全热扩散至银基线晶界网格表面的温度为720℃。
5.一种由权利要求1所述的无镀层钯网合金线的制造方法制备的无镀层钯网合金线。
6.一种由权利要求2所述的无镀层钯网合金线的制造方法制备的无镀层钯网合金线。
7.一种由权利要求3所述的无镀层钯网合金线的制造方法制备的无镀层钯网合金线。
8.一种由权利要求4所述的无镀层钯网合金线的制造方法制备的无镀层钯网合金线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
