[发明专利]影像传感器有效
申请号: | 201310204100.1 | 申请日: | 2013-05-28 |
公开(公告)号: | CN104184966B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 温文燊;孟昭宇 | 申请(专利权)人: | 联咏科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/357 | 分类号: | H04N5/357 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感器 | ||
1.一种影像传感器,其特征在于,包括有:
一画素单元,包括:
一影像画素数组,包括多个影像画素,排列为多个影像画素列与多个影像画素行;
一第一参考画素数组,包括多个第一参考画素,排列为一或多个第一参考画素列与多个第一参考画素行;以及
一偏压电路,耦接于该影像画素数组、该第一参考画素数组与一画素读取电路之间,该偏压电路依据一偏压电压,而在与该多个影像画素行相耦接的多个节点产生多个行感测信号,在与该多个第一参考画素行相耦接的多个节点产生多个第一参考信号,以及更将该多个第一参考信号直接耦合产生一第一平均参考电压信号;以及
该画素读取电路,耦合至该画素单元中的该偏压电路,以依据该多个行感测信号与该第一平均参考电压信号来产生多个重置值及多个取样值,
其中该多个影像画素列包括多个第一影像画素列,该多个第一影像画素列的总列数为M1,该一或多个第一参考画素列的总列数为N1,M1>N1。
2.如权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,该多个第一参考画素设置在一遮光区或设置为非感光型画素。
3.如权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,N1=1。
4.如权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,当该画素读取电路读取该多个第一影像画素列当中每一影像画素列时,该一或多个第一参考画素列当中每一者均开启。
5.如权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,
当该画素读取电路读取该多个第一影像画素列当中的一影像画素列时,该一或多个第一参考画素列当中的一第一组参考画素列开启,
当该画素读取电路读取该多个第一影像画素列当中的另一影像画素列时,该一或多个第一参考画素列当中的一第二组参考画素列开启,其中该第一组参考画素列与该第二组参考画素列包括一或多个相同的参考画素列。
6.如权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,该画素单元更包括:
一第二参考画素数组,包括多个第二参考画素,排列为一或多个第二参考画素列与多个第二参考画素行,其中
该偏压电路,更耦接至该第二参考画素数组,该偏压电路依据该偏压电压,而在与该多个第二参考画素行相耦接的多个节点产生多个第二参考信号,以及更将该多个第二参考信号转换为一第二平均参考电压信号,
该画素读取电路,更耦合至该第二参考画素数组,以依据该多个行感测信号以及该第一平均参考电压信号及该第二平均参考电压信号当中的一者来产生该多个重置值及该多个取样值,以及
该多个影像画素列更包括多个第二影像画素列,其中该多个第二影像画素列的总列数为M2,该多个第二参考画素列的总列数为N2,M2>N2。
7.如权利要求6所述的影像传感器,其特征在于,该画素单元更包括一平均参考电压信号选择单元,耦接于该第一参考画素数组与该第二参考画素数组之间,用来当该画素读取电路读取该第一影像画素列当中任一者时,选择该第一平均参考电压信号至该画素读取电路,以及当该画素读取电路读取该第二影像画素列当中任一者时,选择该第二平均参考电压信号至该画素读取电路。
8.如权利要求6所述的影像传感器,其特征在于,N2=1。
9.如权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,
该第一参考画素数组更包括多个第二参考画素,排列为一或多个第二参考画素列与多个第二参考画素行,该多个第二参考画素行耦接至该多个第一参考画素行,而与该多个第一参考画素共同提供该多个第一参考电压信号,以及
该多个影像画素列更包括多个第二影像画素列,该多个第二影像画素列的总列数为M2,该多个第二参考画素列的总列数为N2,M2>N2。
10.如权利要求9所述的影像传感器,其特征在于,
当该画素读取电路读取该多个第一影像画素列时,该多个第一参考画素开启以及该多个第二参考画素关闭,以及
当该画素读取电路读取该多个第二影像画素列时,该多个第一参考画素关闭以及该多个第二参考画素开启。
11.如权利要求9所述的影像传感器,其特征在于,N2=1。
12.如权利要求1所述的影像传感器,其特征在于,该一或多个参考画素列布局在该多个影像画素列中的首列或末列的其中一侧,且与平行于该多个影像画素列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联咏科技股份有限公司,未经联咏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310204100.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。