[发明专利]一种改善功率放大器自加热效应的电路无效

专利信息
申请号: 201310204582.0 申请日: 2013-05-28
公开(公告)号: CN103338010A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 高怀;孙晓红;田婷;陈涛 申请(专利权)人: 苏州英诺迅科技有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 功率放大器 加热 效应 电路
【权利要求书】:

1.一种改善功率放大器自加热效应的电路,其特征在于,包括:功率单元和偏置模块;

所述功率单元包括至少三个异质结双极晶体管HBT;

所述功率单元中的HBT集电极均连接在一起作为该电路的信号输出端;

所述功率单元中的HBT基极均通过对应的基极镇流电阻连接在一起并连接输入信号;所述基极镇流电阻的阻值由外向内对称依次增大;每个所述HBT的基极均通过对应的所述基极镇流电阻连接偏置模块;

所述功率单元中的HBT的发射极均连接在一起并接地;

所述偏置模块,用于为所述功率单元中的HBT提供相同的偏置电压。

2.根据权利要求1所述的改善功率放大器自加热效应的电路,其特征在于,还包括输入匹配网络;

所述功率单元中的HBT的基极均通过对应的基极镇流电阻连接在一起并通过所述输入匹配网络连接输入信号。

3.根据权利要求1所述的改善功率放大器自加热效应的电路,其特征在于,还包括输出匹配网络;

所述功率单元中的HBT的集电极均连接在一起并连接输出匹配网络的输入端,输出匹配网络的输出端作为信号输出端。

4.根据权利要求1所述的改善功率放大器自加热效应的电路,其特征在于,还包括偏置电源;

所述功率单元中的HBT的集电极均连接在一起并连接所述偏置电源。

5.根据权利要求1所述的改善功率放大器自加热效应的电路,其特征在于,所述偏置模块为偏置电压源;

所述功率单元所有HBT对应的偏置电压均相同,偏置电流不同。

6.根据权利要求1所述的改善功率放大器自加热效应的电路,其特征在于,所述功率单元中所有的HBT均相同。

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