[发明专利]应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构无效
| 申请号： | 201310204621.7 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103268917A | 公开（公告）日： | 2013-08-28 |
| 发明（设计）人： | 白越;吴明昊;吴华强;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 存储器 al 堆叠 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构，其特征在于，包括：
钨下电极；
形成在所述钨下电极之上的氧化钨层；
形成在所述氧化钨层之上的氧化铝层；以及
形成在氧化铝层之上的铝上电极。
2.如权利要求1所述的应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构，其特征在于，所述氧化钨层是通过热氧化的方式形成的。
3.如权利要求1所述的应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构，其特征在于，所述氧化钨层的厚度为30-70nm。
4.如权利要求1所述的应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构，其特征在于，所述氧化铝层是通过接触式氧化的方式形成的。
5.如权利要求1所述的应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构，其特征在于，所述接触式氧化的温度为400-500℃，时间为50-200s。
6.如权利要求1所述的应用于阻变存储器的Al-W-O堆叠结构，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为3-10nm。
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