[发明专利]半导体基板的制造方法

权利要求书

1.一种半导体基板的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：

提供具有成核成长层的半导体基板，其中该成核成长层是成长于该半导体基板的上表面；

形成微粒子刻蚀掩膜于该成核成长层上，其是将多个微粒子覆盖于该成核成长层上，并微缩上述微粒子以在上述微粒子间形成多个间隙借以形成该微粒子刻蚀掩膜；

刻蚀该成核成长层，其是通过该微粒子刻蚀掩膜对该成核成长层进行刻蚀，并在未被该微粒子刻蚀掩膜覆盖的该成核成长层处形成多个刻蚀凹槽；

填入无机凝胶于上述刻蚀凹槽；

移除该微粒子刻蚀掩膜，其是移除该微粒子刻蚀掩膜以露出其下方的该成核成长层，以使得露出的该成核成长层成为多个多晶成长面；

进行多晶柱成长，其是在上述多晶成长面上进行纵向及侧向长晶以成长多个多晶柱；以及

横向接合上述多晶柱以形成低缺陷半导体基板，其是继续进行纵向及侧向多晶成长直至上述多晶柱顶端横向接合形成具有平坦接合薄膜的该低缺陷半导体基板。

2.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于其中该移除该微粒子刻蚀掩膜的步骤是以氧等离子体或氢氟酸或强碱移除该微粒子刻蚀掩膜。

3.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于其中上述微粒子是有机物微粒子、无机物微粒子或该有机物微粒子与该无机物微粒子的混合，其中该有机物微粒子的材质为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、三聚氰胺或聚碳酸酯，该无机物微粒子的材质为氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化锡或氧化铝。

4.根据权利要求3所述的半导体基板的制造方法，其特征在于其中微缩上述微粒子是以氧等离子体进行该有机物微粒子的微缩，或以稀氢氟酸或弱碱微刻蚀进行该无机微粒子的微缩。

5.一种半导体基板的制造方法，其特征在于其包括下列步骤：

提供具有成核成长层的半导体基板，其中该成核成长层是成长于该半导体基板的上表面；

形成光刻胶刻蚀掩膜于该成核成长层上，其借由在该成核成长层上涂布光刻胶层，并对该光刻胶层进行压印、曝光及显影以形成该光刻胶刻蚀掩膜，且该光刻胶刻蚀掩膜具有多个开口，使部分该成核成长层通过上述开口露出；

刻蚀该成核成长层，其是通过上述开口对该成核成长层进行刻蚀，并在上述开口对应位置的该成核成长层形成多个刻蚀凹槽；

移除该光刻胶刻蚀掩膜，其是以研磨或化学刻蚀方式移除该光刻胶刻蚀掩膜以露出其下方的该成核成长层，以使得露出的该成核成长层成为多个多晶成长面；

填入无机凝胶于上述刻蚀凹槽，且不使该无机凝胶覆盖上述多晶成长面；

进行多晶柱成长，其是在上述多晶成长面上进行纵向及侧向长晶以成长多个多晶柱；以及

横向接合上述多晶柱以形成低缺陷半导体基板，其是继续进行纵向及侧向多晶成长直至上述多晶柱顶端横向接合形成具有平坦接合薄膜的该低缺陷半导体基板。

6.根据权利要求5所述的半导体基板的制造方法，其特征在于其中该移除该光刻胶刻蚀掩膜的步骤是以研磨或化学刻蚀方式移除该光刻胶刻蚀掩膜。

7.根据权利要求1或5所述的半导体基板的制造方法，其特征在于其中该半导体基板是蓝宝石基板、硅基板或碳化硅基板。

8.根据权利要求1或5所述的半导体基板的制造方法，其特征在于其中该成核成长层的材质是包括氮化镓、氮化铝、氮化铟、氮化铟镓、氮化铝镓或氮化铟镓铝。

9.根据权利要求1或5所述的半导体基板的制造方法，其特征在于其中该无机凝胶的材质是选自氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化锡、氧化铝及其混合物所组成的混合凝胶。