[发明专利]超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法无效
| 申请号： | 201310204693.1 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103280405A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 吴明昊;白越;吴华强;钱鹤 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超薄 混合 氧化 堆叠 结构 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.提供第一堆叠材料层；
S2.将所述第一堆叠材料层的部分氧化形成第一氧化层；
S3.在所述第一氧化层之上形成第二堆叠材料层；
S4.进行快速热退火处理，在所述第一氧化层与所述第二堆叠材料层的接触界面形成第二氧化层。
2.如权利要求1所述的超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法，其特征在于，所述第二堆叠材料层的材料的吸氧能力大于所述第一堆叠材料层的材料的吸氧能力。
3.如权利要求2所述的超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法，其特征在于，所述第一堆叠材料层为钨，所述第二堆叠材料层为铝。
4.如权利要求1-3所述的超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法，其特征在于，通过干氧氧化或湿氧氧化工艺将所述第一堆叠材料层的部分氧化形成第一氧化层。
5.如权利要求1所述的超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为30-80nm。
6.如权利要求1-6所述的超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法，其特征在于，所述快速热退火处理的温度为400-500℃，时间为50-200s。
7.如权利要求1所述的超薄混合氧化层的堆叠结构的形成方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为3-10nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
