[发明专利]影像感测器及其制作工艺在审
申请号: | 201310205544.7 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN104218044A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
发明(设计)人: | 彭俊宏 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 感测器 及其 制作 工艺 | ||
1.一种影像感测器,包含:
透镜,用以接收光;
基底,包含一光感测元件于一光感测区,用以接收入射至该透镜的光;
第一介电层以及第二介电层,由下而上堆叠于该基底上,其中该第二介电层具有一凹槽,该凹槽位于该第一介电层上及于该透镜以及该光感测元件之间的一光路径上;以及
彩色滤光片,设置于该凹槽中。
2.如权利要求1所述的影像感测器,其中该基底具有一周边区,位于该光感测区旁。
3.如权利要求2所述的影像感测器,其中该第一介电层具有对应该周边区的一金属内连线结构。
4.如权利要求3所述的影像感测器,还包含:
蚀刻停止层,位于该第一介电层以及该第二介电层之间,以覆盖该金属内连线结构但暴露出该第一介电层的一部分,而该部分位于该透镜以及该光感测元件之间的光路径上。
5.如权利要求4所述的影像感测器,其中该凹槽暴露出该第一介电层的该部分,因此该彩色滤光片直接设置于该第一介电层上。
6.如权利要求4所述的影像感测器,其中该蚀刻停止层包含氮化层、富硅氧化层、碳化硅层或掺杂碳的氮化硅层。
7.如权利要求1所述的影像感测器,其中该第二介电层包含一堆叠的介电层。
8.如权利要求1所述的影像感测器,还包含:
材料层,位于该透镜以及该彩色滤光片之间。
9.如权利要求8所述的影像感测器,其中该材料层具有一延伸部,填充该凹槽并接触该彩色滤光片。
10.如权利要求8所述的影像感测器,其中该材料层包含一透明材料或一光致抗蚀剂。
11.如权利要求1所述的影像感测器,其中该彩色滤光片的厚度介于1微米(micrometer,μm)~2微米(micrometer,μm)。
12.一种影像感测制作工艺,包含:
提供一基底,包含一光感测元件于一光感测区中;
依序形成一第一介电层以及一第二介电层堆叠于该基底上;
形成一凹槽于该第二介电层中;
形成一彩色滤光片于该第一介电层上的该凹槽中;以及
形成一透镜于该彩色滤光片的上方,以使该光感测元件接收入射至该透镜并且通过该彩色滤光片的光。
13.如权利要求12所述的影像感测制作工艺,其中该基底具有一周边区,位于该光感测区旁。
14.如权利要求13所述的影像感测制作工艺,其中该第一介电层具有对应该周边区的一金属内连线结构。
15.如权利要求12所述的影像感测制作工艺,还包含:
形成一蚀刻停止层于该第一介电层以及该第二介电层之间,以覆盖该金属内连线结构但暴露出该第一介电层的一部分,而该部分位于该透镜以及该光感测元件的一光路径上。
16.如权利要求12所述的影像感测制作工艺,还包含:
形成一蚀刻停止层于该第一介电层以及该第二介电层之间,以停止用以形成该凹槽的一蚀刻制作工艺。
17.如权利要求16所述的影像感测制作工艺,在形成该凹槽之后,还包含:
进行一蚀刻制作工艺,以蚀刻该蚀刻停止层的一部分,而该部分位于该透镜以及该光感测元件之间的一光路径上。
18.如权利要求16所述的影像感测制作工艺,其中该蚀刻停止层包含氮化层、富硅氧化层、碳化硅层或掺杂碳的氮化硅层。
19.如权利要求12所述的影像感测制作工艺,在形成该透镜之前,还包含:
形成一材料层于该彩色滤光片的上方。
20.如权利要求19所述的影像感测制作工艺,其中该材料层具有一延伸部,填充该凹槽并接触该彩色滤光片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司,未经联华电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310205544.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高压设备的红外测温装置
- 下一篇:旋转偏振片检偏器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的