[发明专利]多晶硅层的形成方法有效
| 申请号： | 201310205826.7 | 申请日： | 2013-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103325665B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 张亚利,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 形成 方法 | ||
1.一种多晶硅层的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
将所述基底放入反应腔内；
往所述反应腔内通入含硅气体和第一掺杂气体，在所述基底上形成掺杂硅材料层，其中形成所述掺杂硅材料层包括：所述反应腔内的温度小于570℃，所述掺杂硅材料层中的硅为非晶硅，或者所述反应腔内的温度大于570℃，所述掺杂硅材料层中的硅为多晶硅；
形成所述掺杂硅材料层后，往所述反应腔内通入流速为200～700sccm的第二掺杂气体对所述掺杂硅材料层进行掺杂，以形成掺杂多晶硅层，其中反应腔内的温度大于570℃，且大于形成掺杂硅材料层时反应腔内的温度，形成的所述掺杂多晶硅层的厚度小于预定厚度；以及
重复所述形成掺杂硅材料层和所述形成掺杂多晶硅层的步骤，直至得到预定厚度的掺杂多晶硅层；
其中，所述第一掺杂气体和所述第二掺杂气体的掺杂类型相同。
2.如权利要求1所述的多晶硅层的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂多晶硅层时，所述反应腔内的温度为580～680℃。
3.如权利要求2所述的多晶硅层的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂多晶硅层时，所述第二掺杂气体的流速为300～500sccm。
4.如权利要求3所述的多晶硅层的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂多晶硅层的时间为10～15min。
5.如权利要求4所述的多晶硅层的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂多晶硅层时，反应腔内的压强为0.1～5.0Torr。
6.如权利要求1所述的多晶硅层的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂硅材料层的时间为3～5min，反应腔内的压强为0.1～1.0Torr，含硅气体的流速为0.1～5.0slm，第一掺杂气体的流速为10～50sccm。
7.如权利要求1所述的多晶硅层的形成方法，其特征在于，所述含硅气体为SiH4或正硅酸乙酯。
8.如权利要求1所述的多晶硅层的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂气体为AsH3、PH3、B2H6中的一种或多种；
所述第二掺杂气体为AsH3、PH3、B2H6中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
