[发明专利]一种OLED像素限定结构及其制作方法有效
申请号: | 201310205843.0 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103311269B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 王辉锋;刘则 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 张恺宁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 像素 限定 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED像素限定结构,其特征在于,该像素限定结构包括像素界定层;
所述像素界定层包括不同颜色的亚像素限定区,其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通;
在同一像素限定结构中,同列亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定区,同列的相同颜色的亚像素限定区通过通道连通,且不同列的同种颜色的亚像素限定区通过通道连通,不同列的同种颜色的亚像素限定区互不相邻。
2.如权利要求1所述的像素限定结构,其特征在于,一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像素限定区连通。
3.如权利要求2所述的像素限定结构,其特征在于,所述通道的宽度小于或等于亚像素限定区的宽度。
4.如权利要求2所述的像素限定结构,其特征在于,所述通道是去除两个亚像素限定区之间部分或全部像素界定层后形成的。
5.如权利要求1~4任一所述的像素限定结构,其特征在于,所述亚像素限定区中含有不同颜色的有机发光材料形成的亚像素发光层,不同颜色的亚像素限定区的亚像素发光层的厚度不同。
6.一种OLED像素限定结构的制作方法,其特征在于,该方法包括:
在像素电极上涂覆一层光刻胶,形成像素限定光刻胶薄膜;
对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理,形成像素界定层;其中将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区进行连通;
其中,在同一像素限定结构中,同列亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定区,同列的相同颜色的亚像素限定区通过通道连通,且不同列的同种颜色的亚像素限定区通过通道连通,不同列的同种颜色的亚像素限定区互不相邻。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通,包括:
将一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像素限定区连通。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述将一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像素限定区连通,包括:
将相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区之间部分或全部像素界定层去除,使亚像素限定区之间的通道的宽度小于或等于亚像素限定区的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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