[发明专利]非易失性存储装置、操作方法和具有其的数据处理系统有效
申请号: | 201310206540.0 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103871469B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 李仁秀;裴智慧 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 操作方法 具有 数据处理系统 | ||
1.一种经由编程和验证操作将数据写入存储器单元的非易失性存储装置,包括:
电路装置,所述电路装置被配置成:在第一时间段期间执行用于第一数据的第一编程和验证操作,以及同时地在所述第一时间段期间执行用于第二数据的多个第二编程和验证操作,
其中,所述第一数据以低速编程,以及所述第二数据以高速编程,以及
在整个所述第一时间段期间所述第一编程和验证操作仅被执行一次,以及从所述第一时间段的起始直至所述第一时间段的结束所述多个第二编程和验证操作被执行,
其中,所述第一时间段为在此期间第一编程和验证脉冲维持用于写入所述第一数据的使能状态的时段,以及在所述第一时间段期间第二编程和验证脉冲被顺序地使能多次。
2.如权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述电路装置包括:
判断单元,所述判断单元被配置成:在编程模式期间,根据是否要针对要编程的数据的每个电平重复编程和验证操作来产生标志信号;以及
控制器,所述控制器被配置成:响应于所述标志信号而控制所述存储器单元针对所述数据的每个电平而被选择性地访问。
3.如权利要求2所述的非易失性存储装置,其中,所述控制器被配置成:响应于要重复所述第一编程和验证操作的标志信号,控制要写入所述第一数据的存储器单元被选择性地访问。
4.如权利要求2所述的非易失性存储装置,其中,所述控制器被配置成:响应于要重复所述第二编程和验证操作的标志信号,控制要写入所述第二数据的存储器单元被选择性地访问。
5.一种非易失性存储装置,包括:
存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括连接在多个字线和多个位线之间的多个存储器单元;
译码器,所述译码器被配置成选择与要选中的存储器单元相连接的字线和位线;
写入驱动器/感测放大器电路,所述写入驱动器/感测放大器电路被配置成:将数据写入选中的存储器单元,以及从选中的存储器单元读取数据;
判断单元,所述判断单元被配置成:在编程模式期间判断是否要针对要编程的数据的每个电平重复编程和验证操作,并且产生标志信号;以及
控制器,所述控制器被配置成:响应于所述标志信号而控制所述译码器和所述写入驱动器/感测放大器电路,以针对所述数据的每个电平来选择性地访问存储器单元,
其中,所述要编程的数据包括第一数据和第二数据,
所述控制器响应于所述标志信号而在第一时间段期间控制用于所述第一数据的第一编程和验证操作,以及同时地在所述第一时间段期间控制用于所述第二数据的多个第二编程和验证操作,
所述第一数据以低速编程,以及所述第二数据以高速编程,以及
在整个所述第一时间段期间所述第一编程和验证操作仅被执行一次,以及从所述第一时间段的起始直至所述第一时间段的结束所述多个第二编程和验证操作被执行,
其中,所述第一时间段为在此期间第一编程和验证脉冲维持用于写入所述第一数据的使能状态的时段,以及在所述第一时间段期间第二编程和验证脉冲被顺序地使能多次。
6.如权利要求5所述的非易失性存储装置,所述判断单元被配置成产生用于所述第一数据的第一标志信号和用于所述第二数据的第二标志信号。
7.如权利要求6所述的非易失性存储装置,其中,所述控制器被配置成:响应于所述第一标志信号而控制所述译码器和所述写入驱动器/感测放大器电路,以选择要写入所述第一数据的存储器单元。
8.如权利要求6所述的非易失性存储装置,其中,所述控制器被配置成:响应于所述第二标志信号而控制所述译码器和所述写入驱动器/感测放大器电路,以选择要写入所述第二数据的存储器单元。
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