[发明专利]一种忆阻层及忆阻器

权利要求书

1.一种忆阻层，其特征在于，包括主要层和辅助层；

所述辅助层位于所述主要层的上面；

所述主要层的厚度大于所述辅助层的厚度；

所述主要层由具有阻变特性的金属氧化物A_x1O_y1构成；

所述辅助层由金属氧化物B_x2O_y2构成；

其中，x1、x2、y1、y2为与化学价相关的元素比例。

2.如权利要求1所述的忆阻层，其特征在于，所述金属氧化物A_x1O_y1和所述金属氧化物B_x2O_y2的金属元素价态不同。

3.如权利要求1所述的忆阻层，其特征在于，所述金属氧化物A_x1O_y1为HfO₂，则所述金属氧化物B_x2O_y2为Al₂O₃、Gd₂O₃或Ta₂O₅。

4.如权利要求1所述的忆阻层，其特征在于，所述金属氧化物A_x1O_y1为Al₂O₃，则所述金属氧化物B_x2O_y2为Ta₂O₅、TiO₂或NiO。

5.如权利要求1所述的忆阻层，其特征在于，所述金属氧化物A_x1O_y1为氧化锆、氧化镍、氧化钛、氧化锌、氧化钨或氧化铪。

6.如权利要求1所述的忆阻层，其特征在于，所述主要层的厚度大于10nm，辅助层的厚度小于5nm。

7.一种忆阻器，其特征在于，包括底电极层、权利要求1～6任一项所述的忆阻层和顶电极层；

所述顶电极层材料的储氧能力比所述底电极层材料的储氧能力强;

所述底电极层和所述顶电极层用于与外部操作电路进行电连接；

所述忆阻层位于所述底电极层和所述顶电极层之间。

8.如权利要求7所述的忆阻器，其特征在于，所述底电极层的材料为铂、金、镍或重掺杂硅。

9.如权利要求7所述的忆阻器，其特征在于，所述顶电极层的材料为氮化钛、氮钽钛、钛或碲。

10.如权利要求7～9任一项所述的忆阻器，其特征在于，所述忆阻器还包括衬底，所述衬底位于所述底电极层的下面。