[发明专利]退火装置和退火工艺有效
申请号: | 201310206825.4 | 申请日: | 2013-05-29 |
公开(公告)号: | CN103337457A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 王祖强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 退火 装置 工艺 | ||
1.一种退火装置,其特征在于,包括:
温度梯度预热单元,用于采用梯度温度对待退火的基板进行梯度预热;
高温单元,用于对经过预热的基板进行高温加热;
移动装置,用于在基板经过梯度预热时和/或预热后,将基板从所述温度梯度预热单元运送至所述高温单元。
2.根据权利要求1所述的退火装置,其特征在于,所述移动装置包括:
导轨;
用于承载待退火处理的基板的承载台,该承载台可移动的设置在所述导轨上。
3.根据权利要求1所述的退火装置,其特征在于,所述温度梯度预热单元包括多个第一频闪灯,沿所述基板的移动方向排列设置,且沿基板的移动方向所述第一频闪灯的功率依次增大,实现对基板的梯度预热。
4.根据权利要求3所述的退火装置,其特征在于,所述多个第一频闪灯均匀分布在所述温度梯度预热单元内,且所述多个第一频闪灯与所述基板的距离相同。
5.根据权利要求3或4所述的退火装置,其特征在于,所述高温单元包括多个第二频闪灯,沿所述基板的移动方向排列设置。
6.根据权利要求5所述的退火装置,其特征在于,所述多个第二频闪灯均匀分布在所述高温单元内,且所述多个第二频闪灯与所述基板的距离相同。
7.根据权利要求6所述的退火装置,其特征在于,所述第一频闪灯和所述第二频闪灯的结构相同,所述第一频闪灯包括用于容纳惰性气体的石英管、设置在所述石英管两端用于连通外部电压的阴极和阳极。
8.根据权利要求7所述的退火装置,其特征在于,所述惰性气体为氙气。
9.根据权利要求1所述的退火装置,其特征在于,所述高温单元设置有用于产生变化的磁场的电磁场发生器。
10.根据权利要求1所述的退火装置,其特征在于,所述温度梯度预热单元和所述高温单元之间设置有用于对基板进行等离子体处理的等离子体诱导单元,所述等离子体诱导单元内设有等离子体发生器。
11.一种通过权利要求1-10任一项权利要求所述的退火装置实现的退火工艺,其特征在于,包括如下步骤:
通过温度梯度预热单元采用梯度温度对待退火的基板进行梯度预热;
通过高温单元对经过预热的基板进行高温加热;
其中,在基板经过梯度预热时和/或预热后,将基板从所述温度梯度预热单元运送至所述高温单元。
12.根据权利要求11所述的退火工艺,其特征在于,在对经过预热的基板进行高温加热之前还包括如下步骤:
通过等离子体诱导单元对基板进行等离子体处理。
13.根据权利要求11所述的退火工艺,其特征在于,对经过预热的基板进行高温加热具体包括:
通过电磁场发生器对基板施加变化的磁场,加速基板内的离子的运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造