[发明专利]发光薄膜、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种发光薄膜，其特征在于：该发光薄膜包括介质层，第一发光层及第二发光层，所述介质层设置在间隔设置的所述第一发光层与所述第二发光层之间，并且，所述发光薄膜两端设置介质层，所述介质层材料为氧化镁，所述第一发光层材料的化学式为ZrO：xCu²⁺，ZrO是基质，Cu²⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，所述第二发光层材料的化学式为ZrO：yMn⁴⁺，ZrO是基质，Mn⁴⁺离子是激活元素，y为0.01～0.05。

2.根据权利要求1所述的发光薄膜，其特征在于：所述介质层厚度为0.5nm～5nm，所述第一发光层厚度为60nm～150nm，所述第二发光层厚度为60nm～150nm。

3.一种发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将氧化镁靶材，ZrO：xCu²⁺靶材，ZrO：yMn⁴⁺靶材及基板放入镀膜设备的真空腔体内，设置真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，调节靶材与基板之间的间距为45mm～95mm，基板温度为250℃～750℃，

然后在基板表面依次沉积介质层，第一发光层，介质层、第二发光层及介质层，

制备介质层的工艺条件为：脉冲激光沉积工作压强0.5Pa～5Pa，工作气体的流量为10sccm～40sccm，脉冲激光能量为50W～250W，其中，介质层材料为氧化镁；

制备所述第一发光层的工艺条件为：脉冲激光沉积工作压强0.5Pa～5Pa，工作气体的流量为10sccm～40sccm，脉冲激光能量为60W～300W，其中，第一发光层材料为ZrO：xCu²⁺,x为0.01～0.05；

制备所述第二发光层的工艺条件为：脉冲激光沉积工作压强0.5Pa～5Pa，工作气体的流量为10sccm～50sccm，脉冲激光能量为60W～300W，其中，第二发光层材料为ZrO：yMn⁴⁺，y为0.01～0.05；及

剥离基板得到所述发光薄膜。

4.根据权利要求3所述的发光薄膜的制备方法，其特征在于，该ZrO：xCu²⁺靶材的制备方法为，按照化学计量比称取ZrO和CuO粉体，均匀混合后在900℃～1300℃烧结，得到靶材化学式ZrO：xCu²⁺,x为0.01～0.05。

5.根据权利要求3所述的发光薄膜的制备方法，其特征在于，该ZrO：yMn⁴⁺靶材的制备方法为，按照化学计量比称取ZrO和MnO₂粉体，均匀混合后在900℃～1300℃烧结，得到靶材化学式ZrO：yMn⁴⁺，y为0.01～0.05。

6.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层包括介质层，第一发光层及第二发光层，所述介质层设置在间隔设置的所述第一发光层与所述第二发光层之间，并且，所述发光薄膜两端设置介质层，所述介质层材料为氧化镁，所述第一发光层材料的化学式为ZrO：xCu²⁺，ZrO是基质，Cu²⁺离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，所述第二发光层材料的化学式为ZrO：yMn⁴⁺，ZrO是基质，Mn⁴⁺离子是激活元素，y为0.01～0.05。

7.根据权利要求6所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述介质层厚度为0.5nm～5nm，所述第一发光层厚度为60nm～150nm，所述第二发光层厚度为60nm～150nm。