[发明专利]导电薄膜、其制备方法及其应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的ZnO层，导电层及V₂O₅层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述ZnO层的厚度为50nm～150nm，所述导电层的厚度为5nm～35nm，所述V₂O₅层的厚度为0.5nm～5nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ZnO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀ZnO层，溅镀所述ZnO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为200℃～750℃，得到ZnO薄膜基板；

然后将ZnO薄膜基板放入蒸镀设备腔体中，调节真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，

在所述ZnO层表面蒸镀导电层，蒸镀所述导电层的工艺参数为：蒸镀速率0.5nm/s～10nm/s，蒸镀温度500℃～1200℃，所述导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种；

在所述导电层表面蒸镀V₂O₅层，蒸镀所述V₂O₅层的工艺参数为：蒸镀速率0.5nm/s～3nm/s，蒸镀温度320℃～700℃，及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ZnO靶材由以下步骤得到：将ZnO粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。

5.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ZnO层的厚度为50nm～150nm，所述导电层的厚度为5nm～35nm，所述V₂O₅层的厚度为0.5nm～5nm。

6.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、层叠的ZnO层，导电层及V₂O₅层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述ZnO层的厚度为50nm～150nm，所述导电层的厚度为5nm～35nm，所述V₂O₅层的厚度为0.5nm～5nm。

8.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ZnO靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

在所述衬底表面溅镀ZnO层，溅镀所述ZnO层的工艺参数为：基靶间距为35mm～90mm，溅射功率为60W～160W，磁控溅射工作压强0.2Pa～2Pa，工作气体的流量为15sccm～35sccm，衬底温度为200℃～750℃，得到ZnO薄膜基板；

然后将ZnO薄膜基板放入蒸镀设备腔体中，调节真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-6Pa，

在所述ZnO层表面蒸镀导电层，蒸镀所述导电层的工艺参数为：蒸镀速率0.5nm/s～10nm/s，蒸镀温度500℃～1200℃，所述导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种；

在所述导电层表面蒸镀V₂O₅层，蒸镀所述V₂O₅层的工艺参数为：蒸镀速率0.5nm/s～3nm/s，蒸镀温度320℃～700℃。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述ZnO靶材由以下步骤得到：将ZnO粉体在900℃～1350℃下烧结制成靶材。

10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的ZnO层，导电层及V₂O₅层，其中导电层的材料选自金，银，铜和铂中的一种。