[发明专利]半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

制作半导体器件柱状凸点单体及再布线铜板，将所述半导体器件柱状凸点单体倒装在再布线铜板上，然后回流实施树脂填充；

所述半导体器件柱状凸点单体的制作方法：

（1）在半导体芯片上形成电极；

（2）在半导体芯片和电极上选择性的覆盖钝化层；

（3）在钝化层上形成一层聚合物；

（4）在钝化层上再有选择的形成绝缘中空柱状件；

（5）在绝缘中空柱状件表面、电极表面以及半导体芯片表面形成金属层；

（6）在金属层上形成光刻胶；

（7）在光刻胶上通过光刻形成开口；

（8）在绝缘中空柱状件中形成第一金属柱，在光刻胶开口形成第二金属柱；

（9）去除绝缘中空柱状件外围的光刻胶和金属层；

（10）切割成具有柱状凸点的半导体器件单体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述再布线铜板的制作方法：

（1）在铜板双面涂上感光膜；

（2）对铜板上的感光膜曝光显影形成图案；

（3）在铜板双面蚀刻形成再布线；

（4）蚀刻后，在铜板背面贴保护膜，在铜板正面通过光刻胶图形转移形成焊料层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述焊料层上设置第二金属柱，回流后树脂填充，揭保护膜后切割成半导体器件扇出倒装芯片封装结构的单体。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述具有柱状凸点的半导体器件单体中电极为两个以上，每个所述电极上均设有绝缘中空柱状件，两个所述绝缘中空柱状件相互分离。

5.根据权利要求4所述的半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘中空柱状件的高度为5um～20um。

6.根据权利要求5所述的半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘中空柱状件的内径比所述钝化层在所述电极上的开口小8～20um。

7.根据权利要求6所述的半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘中空柱状件的外径比所述电极的外径大8um-200um。

8.根据权利要求4所述的半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述金属层包括钛金属层和铜金属层，所述钛金属层上设置所述铜金属层，所述铜金属层上设有第一金属柱和第二金属柱。

9.根据权利要求4所述的半导体器件扇出倒装芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一金属柱和所述第二金属柱均为铜柱。