[发明专利]一种提高增益的放大器及其设计方法

权利要求书

1.一种提高增益的放大器设计方法，其特征在于，所述方法为：

主放大管为M1、M1n，M1的漏端连接到M3的栅端、M3的漏端、M4的漏端、M4n的栅端和输出端Vout+，M1的栅端连接到Vin+，M1的源端连接到M2的漏端和M2n的栅端；差分的主放大管M1n的漏端连接到M3n的栅端、M3n的漏端、M4n的漏端、M4的栅端和输出端Vout-，M1n的栅端连接到Vin-，M1n的源端连接到M2n的漏端和M2的栅端；

M2和M2n构成了第一个负阻单元，M2的漏端连接到M2n的栅端和M1的源端，M2的栅端连接到M2n的漏端和M1n的源端，M2的源端连接到M5的漏端；对应的差分管M2n的漏端连接到M2的栅端和M1n的源端，M2n的栅端连接到M2的漏端和M1的源端，M2n的源端连接到M5的漏端；

负载管M3的漏端接M3的栅端、M4的漏端、M4n的栅端，M1的漏端和Vout+，M3的栅端和漏端的接法同样，M3的源端接电源VDD；差分的负载管M3n的漏端接M3n的栅端、M4n的漏端、M4的栅端，M1n的漏端和Vout-，M3n的栅端和漏端的接法同样，M3n的源端接电源VDD；

M4和M4n构成了第二个负阻单元，M4的漏端连接到M3的栅端、M3的漏端、M4n的栅端和Vout+，M4的栅端连接到M4n的漏端、M3n的漏端和栅端、M1n的漏端和Vout-，M4的源端接VDD；对应的差分管M4n的漏端连接到M3n的栅端、M3n的漏端、M4的栅端和Vout-，M4n的栅端连接到M4的漏端、M3的漏端和栅端、M1的漏端和Vout+，M4n的源端接VDD；

尾电流源M5的漏端接M2和M2n的源端，M5的栅端接偏置电压Vbias，M5的源端接地。

2.根据权利要求1所述的一种提高增益的放大器设计方法，其特征在于：

所述方法增加了两个负阻单元，其中第一个负阻单元加在主放大管的源极；第二个负阻单元和负载管并联。

3.一种提高增益的放大器，其特征在于：所述结构采用全差分的结构，由一个基本的差分对结构改进而成，在此基础上增加了两个负阻单元；其中第一个负阻单元加在主放大管的源极，增大主放大管的跨导；第二个负阻单元和负载管并联，增大输出电阻,匹配负阻单元与原MOS管的尺寸。