[发明专利]一种大功率半导体激光器腔面解理钝化方法

权利要求书

1.一种大功率半导体激光器腔面解理钝化方法其特征在于，包含以下几个步骤：步骤1.将半导体激光器芯片进行减薄并且解理成矩形；用划片机在解理好的激光器芯片上划出解理线待处理步骤2.把处理好的半导体激光器芯片放到专用的夹具上，将携带有半导体激光器芯片的夹具放到真空解理镀膜机的架子上然后再放到真空解理镀膜机中步骤3.通过操作在真空中解理半导体激光器芯片，并把解理好的半导体激光器bar条在真空中蒸镀SiN钝化膜步骤4.在钝化完成之后关闭真空泵取出bar条，用专用的镀膜夹具将钝化好的bar条装好，利用全自动镀膜机在装好的bar条前腔面蒸镀增透膜，在后腔面蒸镀高反膜。

2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体激光器解理钝化方法，其特征在于，步骤3所述的在真空中解理并且钝化半导体激光器。

3.根据权利要求1所述的一种大功率半导体激光器解理钝化方法，其特征在于，步骤3所述的SiN薄膜材料作为真空解理后在真空中钝化半导体激光器的钝化膜材料。