[发明专利]一种沟槽MOS划片槽的设计方法在审
申请号: | 201310209439.0 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN103337454A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 黄泽军;李伟;李伟聪 | 申请(专利权)人: | 深圳市锐骏半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L23/544 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市福田*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沟槽 mos 划片 设计 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种沟槽MOS划片槽的设计方法。
背景技术
目前,晶圆的加工过程中,划片槽采取统一的规格,如80um、60um等。晶圆工厂的工艺过程需要一定的宽度放置检测图形,所以晶圆厂的划片槽一般要求比较宽。由于设计上的方便,晶圆厂要求晶圆内所有划片槽的规格一致。图1为晶圆示意图;图2为在一块光刻板上进行一次曝光所形成的一个镜头;图3显示了晶圆内两个相邻的镜头的结构,划片槽a和b的宽度一致。图4给出了晶圆厂需要放置图形的区域,也就是划片槽宽度标示为b的区域。由于晶圆厂要求在相邻镜头之间周边的区域放置测试图形,划片槽宽度定义为b,也要求单一镜头之间内部的划片槽宽度a等于b的宽度。
现有设计要求单一镜头内部的划片槽的宽度a等于相邻镜头之间的划片槽的宽度b,限制了单一镜头内部划片槽的宽度,而单一镜头内部的划片槽的宽度a可以尽量减小,只要满足划片要求的即可。
发明内容
为了克服背景技术中存在的缺陷,本发明提供一种能解决目前晶圆加工过程中划片槽占用过多的晶圆面积问题、实现晶圆面积利用的最大化的划片槽的设计方法。设计单一镜头内部的划片槽宽度小于相邻镜头之间的划片槽宽度,减小了单一镜头内部划片槽的宽度,从而实现晶圆面积利用的最大化。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种沟槽MOS划片槽的设计方法,其划片槽基于光刻板上,是利用模具或模板在光刻板上进行曝光所形成并嵌于晶圆之中或围绕于芯片周围,所述划片槽的设计是在保证每一次曝光所形成的相邻镜头之间的划片槽宽度足够放置晶圆的测试图形的同时,减小单一镜头内部的划片槽的宽度,实现晶圆利用率最大化;由于光刻板上所呈现的镜头数不固定,该划片槽的设计方法要满足如下几个要求:
第一,晶圆内的划片槽宽度设定两个或两个以上的规格;
第二,相邻镜头之间划片槽的宽度与单一镜头内的划片槽宽度设定两个或两个以上的规格;
第三,在保证相邻镜头之间的划片槽宽度不小于晶圆的测试图形的同时,减小相邻镜头之间的划片槽的宽度;
第四,单一镜头内部的划片槽的宽度小于相邻镜头之间的划片槽的宽度。
本发明能解决目前晶圆加工过程中划片槽占用过多的晶圆面积问题、实现晶圆面积利用的最大化。
附图说明
图l为现有技术示意图之一;
图2为现有技术示意图之二;
图3为现有技术示意图之三;
图4为现有技术示意图之四;
图5为本发明的实施例示意图之一;
图6为本发明的实施例示意图之二;
图7为本发明的实施例示意图之三。
具体实施方式
实施例1,
一种沟槽MOS划片槽的设计方法,其划片槽基于光刻板上,是利用模具或模板在光刻板上进行曝光所形成并嵌于晶圆之中或围绕于芯片周围,所述划片槽的设计是在保证每一次曝光所形成的相邻镜头之间的划片槽宽度足够放置晶圆的测试图形的同时,减小单一镜头内部的划片槽的宽度,实现晶圆利用率最大化;由于光刻板上所呈现的镜头数不固定,该划片槽的设计方法要满足如下几个要求:
第一,晶圆内的划片槽宽度设定两个或两个以上的规格;
第二,相邻镜头之间划片槽的宽度与单一镜头内的划片槽宽度设定两个或两个以上的规格;
第三,在保证相邻镜头之间的划片槽宽度不小于晶圆的测试图形的同时,减小相邻镜头之间的划片槽的宽度;
第四,单一镜头内部的划片槽的宽度小于相邻镜头之间的划片槽的宽度。
实施例2,
结合图4、图5,在保证每一次曝光所形成的相邻镜头之间的划片槽宽度足够放置晶圆的测试图形的同时,减小单一镜头内部的划片槽的宽度由a到c,实现晶圆利用率增大。
实施例3,
结合图4、图6,在保证每一次曝光所形成的相邻镜头之间的划片槽宽度足够放置晶圆的测试图形的同时,减小单一镜头内部的划片槽的宽度由a到d,实现晶圆利用率增大。
实施例4,
结合图4、图7,在保证每一次曝光所形成的相邻镜头之间的划片槽宽度足够放置晶圆的测试图形的同时,减小单一镜头内部的划片槽的宽度由a到e,实现晶圆利用率增大。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市锐骏半导体有限公司,未经深圳市锐骏半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310209439.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于多核平台的DNS转发器
- 下一篇:一种针孔准直器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造