[发明专利]曝光设备和曝光方法

说明书

技术领域

本发明涉及光学领域，尤其涉及一种曝光设备和曝光方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）因其体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

TFT的阵列基板上的栅线或数据线中的金属导电层部分，是先在基板上涂覆金属层，继而在金属层上涂覆光刻胶，最后通过掩膜板对光刻胶层进行曝光、显影、刻蚀、剥离处理后而得。

现有的利用曝光设备对光刻胶曝光的工艺流程为：首先将基板投入曝光流程中，将基板装载在基板载台上，进行预对位，然后通过抽真空处理将基板吸附在基板载台上，调整基板与掩膜板之间的间隙，并实现基板与掩膜板之间的精确对位，对位完成后，利用紫外光对基板上的光刻胶曝光，然后解除基板与基板载台之间的真空状态，将基板从基板载台上卸载下来。

发明人在实现本发明的过程中发现，受到光线衍射、光量不均匀等不良因素的影响，基板边缘的光刻胶的曝光程度和基板中心的光刻胶的曝光程度有区别，影响了所制得的阵列基板的质量，进而影响了TFT-LCD的显示质量。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种曝光设备和曝光方法，能够实现基板上的光刻胶的均匀曝光。

为解决上述技术问题，本发明曝光设备采用如下技术方案：

一种曝光设备，包括光源，还包括：

位于所述光源下方的扩散片，所述扩散片靠近所述光源的一面为入光面，与所述入光面相对的一面为出光面；

其中，所述光源发出的光自所述入光面进入所述扩散片，在所述扩散片内经过折射，所述光被扩散之后，自所述出光面的各处均匀出射。

所述入光面和所述出光面中的一面为平面，另一面为球形凸面。

所述入光面和所述出光面中的一面为平面，另一面具有中心球面和多个同心环弧面。

越靠近所述中心球面，所述同心环弧面排布越密集；越远离所述中心球面，所述同心环弧面排布越稀疏。

所述光源为点光源，所述光源位于所述扩散片的焦点处。

所述扩散片的尺寸大于或等于待曝光的基板的尺寸。

所述曝光设备还包括承载掩膜板的掩膜板载台，所述扩散片位于所述光源和所述掩膜板之间。

所述扩散片的材质为玻璃、水晶或透明的塑料。

在本发明的技术方案中，提供了一种曝光设备，该曝光设备包括光源和位于光源下的扩散片，扩散片可将来自光源的较为集中的光均匀分散出去，从而提高待曝光的基板上的光刻胶接收到光线的均匀度，提高了基板上的光刻胶的曝光质量，提高了制得的阵列基板的质量，提高了液晶显示器的显示效果，提高了用户的使用体验。

本发明的第二方面提供了一种曝光方法，为一种利用上述的曝光设备的曝光方法，所述曝光方法包括：

在掩膜板载台上设置好掩膜板，将待曝光的基板放置在基板载台上；

将扩散片放置在光源和所述掩膜板载台之间，所述扩散片用于将来自光源的光进行折射、扩散，使所述光自所述扩散片均匀出射；

对所述待曝光的基板进行曝光。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中的曝光设备的示意图一；

图2为本发明实施例中的曝光设备的示意图二；

图3a～3d为本发明实施例中的扩散片的制作过程示意图；

图4为本发明实施例中的扩散片的俯视图一；

图5为本发明实施例中的扩散片的俯视图二；

图6为本发明实施例中的曝光设备的示意图三；

图7为本发明实施例中的曝光方法的流程图。

附图标记说明：

1—光源；         2—扩散片；       21—入光面；

22—出光面。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供一种曝光设备，如图1所示，该曝光设备包括：