[发明专利]一种低浓度掺杂的蒸发设备

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光面板的制作设备，尤其涉及一种低浓度掺杂的蒸发设备。

背景技术

到目前为止，在待制备器件领域，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，例如采用PN掺杂传输层的工艺，可以降低器件的启动电压以提高光效，并且有利于寿命的提高。对于P掺杂而言，目前OLED研究领域用的最多的是如F4-TCNQ，F4-TNAP一类的掺杂剂，掺杂在空穴传输材料如MeO-TPD,NPB中。对于这一类有机掺杂剂，经过掺杂后，有机物的导电率可以从10^-9S/cm提高到10^-4S/cm，经过理论计算，要实现传输材料电导率达到10^-6-10^-4S/cm量级之间，掺杂剂在有机物中的摩尔比仅需要在1‰的量就够了，但是对于其制备工艺而言，由于制备的传输层通常在几十纳米，如此低的掺杂量，很难进行控制。因为目前的膜厚监控设备一般采用石英晶振，通过质量的变化来评定薄膜厚度，在共蒸镀时，两种材料的蒸镀速度之比，即使掺杂的质量之比。目前通常采用F4-TCNQ掺杂在MeO-TPD中时，通常采用的摩尔比为2%-5%，其质量分数一般在1-4%之间，意味着单位之间内，F4-TCNQ的蒸镀速度是MeO-TPD的1-4%之间，其需要非常精确的蒸发设备，以保证两种材料的蒸发速度在一定的比值从而获得较稳定的掺杂比例。

对于发光层材料而言，同样也存在这样的问题，例如采用超低浓度掺杂，将发光材料掺杂在主体材料中，例如Rubrene掺杂在NPB中，其掺杂质量分数可以低至0.01%，DCTJB掺杂在Alq3中，其掺杂质量分数可以低至在0.02%。对于如此低的掺杂含量，需要采用非常精密的监控设备，而且对蒸发源有着精确的要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种低浓度掺杂的蒸发设备，能够有效降低掺杂材料的比例，结构简单，易于实现。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例提供了一种低浓度掺杂的蒸发设备，包括真空镀室，以及均设置在所述真空镀室内的主蒸发源和掺杂蒸发源，所述蒸发设备还包括掩膜装置，所述掩膜装置包括至少一个掩膜板及蒸发腔体，所述蒸发腔体的上端开口并通向待制备器件；所述掩膜板水平安装在所述蒸发腔体内，所述掩膜板上开设多个通孔，多个所述通孔均匀分布于所述掩膜板；所述掺杂蒸发源设置在所述蒸发腔体内且位于所述掩膜板的下方。

其中，所述掩膜板的开孔率为9%-50%。

其中，所述掩膜板为两个或两个以上，各掩膜板沿竖直方向层叠排布于所述托架，且各所述掩膜板之间间隔设置。

其中，相邻两个所述掩膜板之间的间隔为5-10cm。

其中，所述掩膜板的周缘与所述蒸发腔体的内壁无缝贴合连接。

其中，所述掩膜板通过可拆卸式连接结构连接在所述蒸发腔体内。

其中，所述通孔为圆形、多边形、及不规则形状中的一种。

其中，所述掩膜板与所述所述掺杂蒸发源之间设有5-20cm的间隙。

其中，其特征在于，所述蒸发设备还包括用于监控所述掺杂蒸发源处的蒸发速度的晶振探头，且设置在所述掩膜板的下方。

其中，所述蒸发设备还包括用于监控到达所述待镀膜器件处的蒸发速度的晶振探头，且设置在所述掩膜板的上方。

本发明实施例提供的低浓度掺杂的蒸发设备，掺杂蒸发源蒸发的掺杂材料需通过掩膜装置才能到达待制备器件，由于掩膜板上设置有均匀分布的开孔，使在单位时间内通过掩膜板的掺杂材料速度发生变化，在不改变掺杂蒸发源蒸发热量的情况下，能够使掺杂材料的蒸发实现一个非常低的蒸发速度，能够有效降低掺杂材料的比例；同时掩膜装置结构简单，易于实现。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明第一实施方式提供的用于待制备器件的蒸发设备的示意图；

图2是图1的蒸发设备中蒸发掩膜装置与待制备器件配合的结构示意图；

图3是图2中蒸发掩膜装置的掩膜板的结构示意图；

图4是本发明第二实施方式提供的蒸发掩膜装置与待制备器件配合的结构示意图；