[发明专利]Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法

权利要求书

1.一种Si衬底三结级联太阳电池，其特征在于，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。

2.根据权利要求1所述三结级联太阳电池，其特征在于，所述GeSi底电池、GaAs中间电池、GaInP顶电池的禁带宽度分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV。

3.根据权利要求1所述三结级联太阳电池，其特征在于，所述第一过渡层是的材质是Si_xGe_1-x，0.8≤x＜1。

4.根据权利要求1所述三结级联太阳电池，其特征在于，所述第一过渡层中所述x含量按照远离Si衬底的方向呈线性或台阶式降低，所述第一过渡层厚度不大于2μm。

5.根据权利要求1所述三结级联太阳电池，其特征在于，所述第二过渡层的材质为GaAs_yP_1-y，0.098≤y≤1。

6.根据权利要求1所述三结级联太阳电池，其特征在于，所述第二过渡层中所述y含量按照远离Si衬底的方向呈线性或台阶式降低，所述第二过渡层厚度不大于3μm。

7.根据权利要求1所述三结级联太阳电池，其特征在于，还包括分别设置在所述Si衬底底部、所述GaAs接触层顶部的背电极和栅电极，以及设置在所述栅电极表面的抗反膜。

8.一种根据权利要求1～7任一项所述的Si衬底三结级联太阳电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤A、采用金属有机化学气相沉淀法或分子束外延法按照远离Si衬底的方向依次在Si衬底上生长第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层；

步骤B、分别在所述Si衬底底部、GaAs接触层顶部蒸镀背电极和栅电极，以及在所述栅电极表面蒸镀抗反膜。