[发明专利]封装基板，其制备方式及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装基板、其制备方法，使用该基板的有机电致发光器件及其制作方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）通常使用超薄玻璃，聚合物薄膜、金属薄片等作为柔性衬底，比玻璃衬底的具有更轻薄、更耐冲击的优点，并且柔性器件的制备可以采用卷对卷方式生产，从而大幅地降低制造成本。

聚合物薄膜作为一种常用的封装基板，其来源广泛，价格低廉，挠曲性能好，被广泛应用到各种器件的制备过程中。但是聚合物薄膜也存在一些缺点，如热稳定性能差，其对水氧的渗透率较高。

发明内容

基于此，有必要提供具有低水氧渗透率的封装基板、其制备方法，使用该基板的有机电致发光器件及其制作方法。

一种封装基板，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面设置第一阻挡层，聚合物薄膜基板的另一面设置第二阻挡层，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层，且于所述第一阻挡层第一层和最后一层都为无机化合物薄膜层，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合物薄膜的材料选自一氧化硅或者三氧化钨，所述有机化合物薄膜的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，8-羟基喹啉铝，双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝或4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺中至少一种，所述第二阻挡层的材料选自Si₃N₄，SiO₂或Al₂O₃中至少一种。

在其中一个实施例中，所述聚合物薄膜基板的厚度为0.1mm～1mm。

在其中一个实施例中，所述第一阻挡层中无机化合物薄膜层厚度为100nm～500nm，所述有机化合物薄膜层厚度为100nm～300nm。

在其中一个实施例中，所述第第二阻挡层的厚度为500nm～1000nm。

在其中一个实施例中，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层中，无机化合物薄膜层的层数大于等于2，所述有机化合物薄膜层的层数大于等于1。

一种封装基板的制备方法，包括以下步骤：

提供聚合物薄膜基板，将聚合物薄膜基板放入真空镀膜系统中，在所述聚合物薄膜基板的一面蒸发制备第一阻挡层，其中，所述第一阻挡层为交替层叠设置的无机化合物薄膜层和有机化合物薄膜层，且于所述第一阻挡层第一层和最后一层都为无机化合物薄膜层，所述聚合物薄膜基板的材料选自聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亚胺中至少一种，所述无机化合物薄膜的材料选自一氧化硅或者三氧化钨，所述有机化合物薄膜的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺，8-羟基喹啉铝，双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝或4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺中至少一种，蒸镀无机化合物薄膜层在真空度为10^-5Pa～10^-3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度为0.5-5nm/s，蒸镀有机化合物薄膜层在真空度为10^-5Pa～10^-3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度为0.5-5nm/s；及

在所述聚合物薄膜基板的另一面蒸镀制备第二阻挡层，所述第二阻挡层的材料选自Si₃N₄，SiO₂或Al₂O₃中至少一种，蒸镀第二阻挡层在真空度为10^-5Pa～10^-3Pa的镀膜系统中进行，蒸发速度为0.5-5nm/s。

在其中一个实施例中，所述第一阻挡层中无机化合物薄膜层厚度为100nm～500nm，所述有机化合物薄膜层厚度为100nm～300nm。