[发明专利]具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法

权利要求书

1.具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法，步骤包括：

（1）将制绒后的硅片进行表面制作发射极；

（2）将步骤（1）所得硅片进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除；

（3）将步骤（2）所得硅片进行高方阻发射极制作；

（4）将步骤（3）所得硅片再依次进行沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结步骤。

2. 根据权利要求1所述的具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：步骤（1）中发射极结深为0.1-0.5微米，方阻为50-75ohm/sq。

3. 根据权利要求2所述的具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：步骤（1）中发射极结深为0.4微米，方阻为55ohm/sq。

4. 根据权利要求1所述的一种高方阻太阳能电池的制作方法，其特征在于：步骤（3）中高方阻发射极是将硅片置入醋酸钠、NaOH与异丙醇的混合液中进行制作，腐蚀时间60-1000s，制作后发射极方阻为70-100ohm/sq。

5. 根据权利要求4所述的具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：所述的醋酸钠、NaOH与异丙醇的混合液温度为50-100℃，醋酸钠的质量分数为0.01-1%，NaOH的质量分数为0.1-10%，异丙醇的质量分数为1-20%。

6. 根据权利要求5所述的具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：所述的醋酸钠、NaOH与异丙醇的混合液温度为65℃，醋酸钠的质量分数为0.01%，NaOH的质量分数为2.5%，异丙醇的质量分数为5.6%。

7. 根据权利要求1所述的具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：所述的硅片为单晶硅、多晶硅或者准单晶硅。

8. 根据权利要求7所述的具有低表面掺杂浓度发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于：所述的硅片优选为为单晶硅或者准单晶硅。