[发明专利]有机太阳盲紫外光探测器有效
申请号: | 201310211675.6 | 申请日: | 2013-05-30 |
公开(公告)号: | CN103280529A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 吴刚;陈红征;汪茫 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 太阳 紫外光 探测器 | ||
技术领域
本发明涉及探测器,尤其涉及一种有机太阳盲紫外光探测器。
技术背景
太阳紫外辐射在穿越大气层的过程中,由于受到热层中的氧原子及平流层中臭氧的强烈吸收,只有300-400nm波段的紫外线能够到达近地表面空间(25000米以下),导致在该空间大气内几乎不存在0-300nm波段的紫外辐射,这一波段即所谓“太阳盲区”;而达到地表的紫外线由于大气的散射作用形成了均匀的紫外线背景,被称为“可见盲区”。鉴于“太阳盲区”紫外信号所具有的地表背景洁净、不受日光的干扰、信号处理负担轻的优势,对“太阳盲区”紫外信号的探测(接收),不管在民用还是军用领域都有着重要的应用需求。如在高压输电线路的检修过程中,电线短路会出现电弧放电现象,发出300nm以下紫外辐射,利用“太阳盲区”紫外光探测技术,即使在白天也能及时、快速地定位故障点,从而将损失降到最低限。
“太阳盲区”紫外探测器一般由无机半导体材料如金刚石、AlGaN和MgZnO等制备而成。虽然这类材料具有高的迁移率和良好的稳定性,但是它们的加工工艺复杂,制备成本高昂,因此限制了大面积应用。另一方面,有机半导体由于其低廉的成本和优异的加工性能近年来受到人们的广泛关注并在各种光电器件中得到应用,其中也包括紫外探测器(CN 101345291A,CN 101055205A)。
有机紫外探测器一般以镀有导电氧化铟锡(ITO)薄膜的玻璃作为基底电极和透光窗口(探测面),由于ITO玻璃对300nm以下紫外的阻隔作用,这种器件一般只能对300nm以上波段的近紫外光进行探测。如果以透明金属电极作为对电极并使光从此侧入射,虽然能够将器件的探测区间延伸到300nm以下波段,但为了尽可能提高300nm以下电磁波在透明金属电极层的透过率,一般都需要将透明金属电极层制作得很薄,这就在大大增加了探测器中活性层材料与外界环境中水、氧的接触几率,不利于器件的长时间工作。这就需要设计新的器件结构。
同时,如果要使器件实现本征的太阳盲紫外波段响应,就必须对有机材料的共轭尺度进行严格的限制。同时,要使器件在太阳盲紫外区间产生高的响应度,那就必须兼顾有机材料的小共轭尺度和低载流子迁移能力之间的矛盾,这就大大缩小了有机材料的选择空间,增加的器件的设计难度。
通过在合理的分子结构设计,以在太阳盲紫外区间具有强吸收特性的有机材料为给体、受体材料,在给体、受体材料合理配合的基础上,实现了对“太阳盲区”辐射的高的响应度。由于给体、受体材料在仅在300nm以下有吸收,所以器件避免了可见盲区紫外线和可见光信号的干扰。同时,将透明金属电极移到基底一侧,并以基底侧作为探测面,就可以使用比较厚的对电极(阴极)层材料,有利于保护活性层材料。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供一种有机太阳盲紫外光探测器。
有机太阳盲紫外光探测器包括基底、透明金属电极层、有机空穴传输层、有机活性层、阴极修饰层、金属电极层;从基底自下而上顺次设有透明金属电极层、有机空穴传输层、有机活性层、阴极修饰层、金属电极层。
所述的基底的材料为玻璃、石英。所述的透明金属电极层的材料为银、铝、金或它们的混合物,厚度为2-30nm。所述的金属电极的材料为银、铝、镁、铜、金、氧化铟锡或氟掺氧化铟锡。所述的有机活性层为:给体材料D和受体材料A的混合层或给体材料D和受体材料A的叠层。
所述的给体材料D的分子结构通式为:
n=1~5
所述的受体材料A的分子结构通式为:
其中,R为吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、三嗪、三唑。
所述的混合层中给体材料D的重量分数为10~90%。
本发明通过有机活性层的设计,兼顾了有机活性层物质共轭长度和迁移率之间的矛盾,实现了对太阳盲区紫外辐射的高度响应并同时避免了可见盲紫外信号和可见光信号的干扰。将透明金属电极移到基底一侧,并以基底侧作为探测面,就可以使用比较厚的对电极(阴极)层材料,有利于保护活性层材料。由于有机活性层由有机材料组成,器件具有价格低廉、加工方便、可大面积制作等优点。
附图说明
图1是有机太阳盲紫外光探测器的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310211675.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择