[发明专利]MWT太阳能电池片及其制作方法

权利要求书

1.一种MWT太阳能电池片制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 

S1：在硅片的指定位置形成过料孔； 

S2：在所述过料孔的内壁表面上形成孔壁保护膜； 

S3：在所述过料孔中填充过孔浆料。 

2.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池片制作方法，其特征在于，在所述S1的步骤之前，还包括预处理步骤，所述预处理步骤包括： 

对所述硅片进行清洗、制绒； 

利用高温扩散的方法在所述硅片的正面形成发射极、在所述硅片的背面形成背场。 

3.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池片制作方法，其特征在于，所述孔壁保护膜为SiNx膜，所述SiNx膜采用PECVD法形成，所述SiNx膜的厚度为10nm～200nm。 

4.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池片制作方法，其特征在于，在所述S1的步骤之后所述S2的步骤之前还包括：S11：在所述过料孔的周围形成局部背场去除区域。 

5.根据权利要求4所述的MWT太阳能电池片制作方法，其特征在于，所述局部背场去除区域通过腐蚀浆料腐蚀形成。 

6.根据权利要求4所述的MWT太阳能电池片制作方法，其特征在于，在所述S11的步骤之后所述S2的步骤之前还包括：对所述硅片进行化学清洗。 

7.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池片制作方法，其特征在于，在所述S2的步骤之后S3的步骤之前还包括：S21：在所述硅片的背面印刷形成背面浆料点并使得所述背面浆料点的浆料填充至所述过料孔。 

8.根据权利要求1至7中任一项所述的MWT太阳能电池片制作方法，其特征在于，在所述S3的步骤之后还包括：S31：将所述硅片烘干，并在所述硅片的背面和正面印刷栅线。 

9.根据权利要求8所述的MWT太阳能电池片制作方法，其特征在于，在所述S31的步骤之后还包括： 

对所述硅片进行烘干； 

对烘干后的所述硅片进行烧结； 

对烧结好的所述硅片进行边缘刻蚀。 

10.一种MWT太阳能电池片，包括硅片、设置在所述硅片上的过料孔以及设置在所述过料孔的内壁表面的浆料层，其特征在于，所述过料孔的内壁表面和所述浆料层之间设置有孔壁保护膜。