[发明专利]磁动力远红外负离子护肤复合功能芯片无效

专利信息
申请号: 201310213748.5 申请日: 2013-05-29
公开(公告)号: CN104213334A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 吴少勇 申请(专利权)人: 深圳市宜丽环保科技有限公司
主分类号: D04H3/007 分类号: D04H3/007;D04H1/413;D04H1/435;D04H1/46;D04H1/44
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摘要:
搜索关键词: 动力 红外 负离子 护肤 复合 功能 芯片
【说明书】:

技术领域:

本发明涉及一次性卫生用品,特别涉及一种磁动力远红外负离子护肤复合功能芯片。

背景技术:

在保健纺织品和一次性卫生用品领域,越来越多的公司使用复合功能芯片来增加产品卖点。芯片就是一种复合了保健功能材料的纺织材料,采用三明治复合结构与一次性卫生用品或纺织品其他材料复合在一起,构成保健纺织品或一次性功能卫生用品。如市场上的负离子卫生巾,远红外卫生巾,磁性防伪卫生巾;远红外眼罩,远红外床垫,负离子鞋垫等,就采用功能芯片复合其他材料来生产。如专利ZL200910192535.2一种具有防伪作用的多功能芯片及卫生巾,其中描述的多功能水刺布就是复合功能芯片;如专利ZL200710150697.0负离子磁性卫生巾,其中描述在吸水层2复合了一层负离子磁性纤维层5,纤维层5就是所描述的复合功能芯片;再如专利ZL200710026963.9远红外负离子复合卫生巾及护垫,其中描述远红外负离子纤维层就是复合功能芯片。

在功能纺织品领域与功能一次性卫生用品领域,复合功能芯片采用功能材料最普遍的就是磁性保健材料,远红外保健材料,负离子材料。这三种功能材料对人体有一定保健作用,如:改善微循环,促进血液循环,改善供血供氧状态,增强免疫力;对人体有一定放松作用,愉悦心情;活血化瘀;抑菌消炎等等。

复合功能芯片要达到同时磁性保健防伪,发射远红外线,诱生动态负离子,现有技术采用分别将磁性材料,远红外材料,负离子材料复合在一起。如专利ZL200710150697.0负离子磁性卫生巾,负离子材料采用8%铁电气石粉,磁性材料采用5%氧化铁粉,得到负离子磁性无纺布,也就是这里描述的复合功能芯片;再如专利ZL200710026963.9远红外负离子复合卫生巾及护垫,采用纳米级的电气石粉诱生负离子,采用纳米级的远红外粉发射远红外,复合得到远红外负离子功能芯片。

生产复合功能芯片现有技术采用两种方式,一种是通过生产功能母粒,再将功能母粒按一定比例添加到纺丝原料中,熔融高速纺丝。如专利ZL200710150697.0负离子磁性卫生巾,专利ZL200710026963.9远红外负离子复合卫生巾及护垫。另一种是通过分散液整理到纺织品中,如专利ZL201210549792.9一种具有磁性抑菌保健功能的卫生巾芯片。相对于分散液整理功能保健材料,通过熔融纺丝,保健材料与纤维结合更牢固;特别是保健材料本身需要通过物理效应(如粒子形状,空间的分布)来发挥保健作用,更具优势。

通过聚合物熔融纺丝加入功能材料,对功能材料有非常高的要求,如:粒径,表面亲水亲油的能力,粒子的形状等等。更重要的是高速纺丝是不允许加入过多的功能材料,加入量多很容易引起断丝,导致生产出废品,甚至停机;生产芯片的纺丝纤维细度集中在1D-2D之间,有成百上千个喷丝口,功能材料少量高效更能适应大生产。这样一种材料如果同时具有磁性防伪保健,发射远红外,诱生动态负离子将会更适应生产线的需要。

发明内容:

本发明在于提供一种生产磁动力远红外负离子护肤复合功能芯片的方法,其同时具有磁性保健防伪,发射远红外,诱生动态负离子的作用;其不是通过将磁性材料,负离子材料,远红外材料简单混合而得来。可以克服通过熔融纺丝工艺添加功能材料,不能兼具既有较好的磁性防伪功能,又有较好的诱生动态负离子,发射远红外的功能;可以通过少量的添加量达到较高的远红外法向发射率,较高的诱生动态负离子浓度,同时有较强的磁性防伪能力。

本发明技术方案是:磁动力远红外负离子护肤复合功能芯片的生产方法,是用三氧化二铁材料,通过锶的化合物掺杂烧结;湿式研磨粉碎而得,粒径0.1微米-1微米之间;然后活化处理。再将此功能材料制成功能母粒,加入纺丝聚合物中生产出功能纤维。然后将功能纤维通过纺织工艺生产功能纺织材料,按制定规格分切得到复合功能芯片。

其中锶-三氧化二铁粉体:三氧化二铁含量95-99%,氧化锶含量1-5%;粒径0.1微米到1微米之间;经过活化处理工艺。

其中锶-三氧化二铁粉体活化处理工艺是以下一种或几种活化手段:电子束照射;加活化剂湿式高能球磨;紫外线照射;表面处理;真空冷冻。

其中纺丝聚合物是聚丙烯,聚酯。

其中锶-三氧化二铁粉体在纺丝聚合物中的含量是3-8%。

其中功能纤维细度在1D-2D之间。

其中复合功能芯片的磁感应强度≥0.1mt,远红外法向发射率≥0.78,诱生动态负离子浓度≥4500个/cm3

下面说明复合芯片的生产方法:

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