[发明专利]低雾度透明导电电极

权利要求书

1.一种导电薄膜，包括：

基板；

沉积于基板之上的金属纳米线网格；及

具有有机或无机材料的各向同性层，其位于基板之上；

其中，金属纳米线网格嵌入各向同性层中，且所述导电薄膜具有纳米多孔表面，其特征在于：纳米多孔表面的孔径小于25纳米。

2.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其铅笔硬度大于1H。

3.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其铅笔硬度大于3H。

4.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其雾度小于2%。

5.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其雾度小于1%。

6.如权利要求5所述的导电薄膜，其特征在于：其中纳米线网格包括具有第一线长及第一线径的第一纳米线，及具有第二线长及第二线径的第二纳米线，其中第一纳米线的第一线长为约50-100微米，而第二纳米线的第二线径小于50纳米。

7.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：当波长介于200-1000纳米之间，其光线透光率高于80%。

8.如权利要求7所述的导电薄膜，其特征在于：当波长介于400-800纳米之间，其光线透光率高于90%。

9.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其表面电阻小于100欧/平方。

10.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其中第二线径小于30纳米。

11.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其中第二线长为约50-100微米。

12.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其进一步包括直接与纳米线接触的折射率匹配层。

13.如权利要求12所述的导电薄膜，其特征在于：其中折射率匹配层具有导电材料、半导体材料或非导电材料。

14.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其中基板选自聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚碳酸酯及环-烯烃聚合物（COP）或环-烯烃共聚物（COC）。

15.如权利要求12所述的导电薄膜，其特征在于：其中折射率匹配层进一步包括导电或半导体金属氧化物，其选自掺氟锡氧化物（FTO）、铟锡氧化物（ITO）、掺铝锌氧化物（AZO）、掺镓锌氧化物（GZO）及掺硼锌氧化物（BZO）。

16.如权利要求12所述的导电薄膜，其特征在于：其中折射率匹配层具有各向异性的金属氧化物或非金属氧化物的材料，其平均表面粗糙度小于10-50纳米。

17.如权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于：其中基板为玻璃。

18.一种触摸屏装置，其包括：

导电电极，其包括：

基板；

沉积于基板之上的金属纳米线网格；

具有有机或无机材料的各向同性层，其位于基板之上；

其中，金属纳米线网格嵌入各向同性层中，且所述导电薄膜具有纳米多孔表面，其特征在于：纳米多孔表面的孔径小于25纳米，且平均粗糙度为10-50纳米。

19.如权利要求18所述的触摸屏装置，其特征在于：其中电机的铅笔硬度大于1H。