[发明专利]单像素结构，包括其的数字微镜器件以及它们的制备方法

权利要求书

1.一种单像素结构，其特征在于，包括：

衬底，

第一导电组件，设置在所述衬底上，包括左导电部和右导电部；

反射镜，通过设置在所述衬底或所述第一导电组件上的支撑结构悬空地设置在所述第一导电组件上方，所述反射镜包括反射部和与所述反射部垂直设置的驱动部，所述驱动部部分延伸至所述左导电部和右导电部之间；

常态下，所述驱动部处于与所述衬底上表面垂直的状态，且与所述左导电部和右导电部不接触；所述左导电部与所述驱动部施加电性相反的电压时，所述驱动部向所述左导电部偏转；所述右导电部与驱动部施加电性相反的电压时，所述驱动部向所述右导电部偏转。

2.根据权利要求1所述的单像素结构，其特征在于，所述单像素结构还包括设置在所述衬底上的第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有凹槽，所述第一导电组件设置在所述凹槽内。

3.根据权利要求1所述的单像素结构，其特征在于，所述左导电部和右导电部面向所述驱动部的一侧具有第二绝缘层，常态下，所述驱动部与所述第二绝缘层不接触。

4.根据权利要求3所述的单像素结构，其特征在于，所述单像素结构还包括所述第二导电组件，所述第二导电组件设置在所述第一绝缘层上，且与所述反射部电连接。

5.根据权利要求4所述的单像素结构，其特征在于，所述第二导电组件包括前导电部和后导电部，所述前导电部和后导电部设置在所述反射部的两侧，作为所述支撑结构支撑所述反射镜，且所述前导电部和后导电部之间的连线垂直于所述左导电部和右导电部之间的连线。

6.根据权利要求4所述的单像素结构，其特征在于，所述前导电部和后导电部的高度设置为所述驱动部偏转与第二绝缘层相接触时，所述反射部不与所述第一绝缘层的上表面相接触。

7.根据权利要求4所述的单像素结构，其特征在于，所述前导电部和后导电部与所述反射部之间分别通过支撑梁连接。

8.根据权利要求7所述的单像素结构，其特征在于，所述反射部、所述驱动部和所述支撑梁一体成型。

9.根据权利要求4所述的单像素结构，其特征在于，所述驱动部在平行于所述衬底的平面内的截面为矩形截面，所述矩形截面的长边平行于所述前导电部和后导电部之间的连线，矩形截面的短边平行于所述左导电部和右导电部之间的连线。

10.一种数字微镜芯片，包括一组或多组单像素结构，其特征在于，各组单像素结构包括权利要求1至9中任一项所述的单像素结构。

11.一种单像素结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成包括左导电部和右导电部的第一导电组件；

沉积牺牲材料，形成位于所述左导电部和右导电部上的第一牺牲部和位于所述左导电部和右导电部之间的第二牺牲部；

刻蚀所述第二牺牲部，在所述第二牺牲部内部形成驱动部形成槽；

刻蚀穿透所述第一牺牲部或第二牺牲部形成支撑结构形成槽；

沉积支撑材料，在所述支撑结构形成槽中形成支撑结构；

沉积导电反光材料，形成位于所述第一牺牲部和所述支撑结构上方的导电反光材料层和位于所述驱动部形成槽中驱动部；

在所述导电反光材料层上设置掩膜，所述掩膜至少部分覆盖在所述支撑结构的上方；

刻蚀所述导电反光材料层形成反射部；

去除所述掩膜、所述第一牺牲部和第二牺牲部，形成所述单像素结构。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在沉积所述牺牲材料前，还包括在所述左导电部和右导电部的相对表面上形成第二绝缘层的步骤。