[发明专利]MWT太阳能电池片的制造方法无效
申请号: | 201310214858.3 | 申请日: | 2013-05-31 |
公开(公告)号: | CN103268908A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 陈迎乐;赵文超;王建明;王子谦;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请(专利权)人: | 英利集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mwt 太阳能电池 制造 方法 | ||
1.一种MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:利用激光技术在制造MWT太阳能电池片的基底上形成过料孔,在所述基底背面且位于所述过料孔的周围的区域进行消融;
S2:在所述过料孔的内壁表面以及消融区域印刷腐蚀浆料,去除激光打孔和消融过程对所述基底带来的损伤。
2.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,采用丝网印刷的方式将所述腐蚀浆料印刷在所述过料孔的内壁表面以及所述消融区域。
3.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,印刷所述腐蚀浆料时,其印刷区域为以所述过料孔的中心为圆心,半径为0.5mm至5mm的圆所确定的区域。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,在所述S2的步骤之后还包括:对所述基底进行烘干,烘干时的温度为200℃至300℃,时间为2min至10min。
5.根据权利要求4所述的MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,对所述基底进行烘干之后还包括:利用氢氟酸溶液和去离子水对所述基底进行清洗,清洗时间大于1min。
6.根据权利要求4所述的MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,所述腐蚀浆料对所述过料孔的内壁表面以及所述消融区域的腐蚀深度为1nm至50nm。
7.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,所述过料孔的直径为50μm至500μm。
8.根据权利要求1所述的MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,在所述S1的步骤之前还包括预处理步骤,所述预处理步骤包括:
对所述基底进行清洗、制绒;
利用高温扩散的方法在所述基底的正面形成发射极、在所述基底的背面形成背场;
对所述基底进行边缘刻蚀;
在所述基底的上下表面都形成SiNx层。
9.根据权利要求5所述的MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,利用所述氢氟酸溶液和所述去离子水对所述基底进行清洗的步骤之后还包括:采用丝网印刷,对所述基底进行过孔浆料、背面栅线、正面栅线的印刷,最后对所述基底进行烧结。
10.根据权利要求2所述的MWT太阳能电池片的制造方法,其特征在于,印刷所述腐蚀浆料时,所述丝网上设置有一层防水膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的